[发明专利]一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性透明存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：柔性透明的衬底(1)；形成在衬底上的m个条状的底电极(2)；形成在底电极上的功能层(3)；形成在功能层上的电极层(4)；底电极、功能层和电极层构成透明的选择管；形成在电极层上的阻变存储层(5)；形成在阻变存储层上并与底电极相交叉的n个条状的顶电极(6)；穿透阻变存储层、电极层和功能层并与底电极相连的引出电极(7)；在引出电极和阻变存储层和电极层的侧壁之间的隔离侧墙(8)；电极层、阻变存储层和顶电极构成透明的阻变存储器，上述结构均采用透明的材料，m个条状的底电极与n个条状的顶电极相交的部分形成m*n的存储阵列，其中，m和n为自然数。

2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述衬底为聚对二甲苯等柔性透明的材料，以及如聚酰亚胺PI薄膜、聚二甲基硅氧烷PDMS薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN薄膜等的塑料及橡胶材料中的一种。

3.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述底电极和电极层的材料分别为掺铝氧化锌ZAO、氧化铟锡ITO、石墨烯薄膜以及导电高分子材料聚乙撑二氧噻吩PEDOT等透明的导电材料中的一种。

4.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述功能层的材料为二氧化钛TiO₂或二氧化钒VO₂等透明的过渡金属氧化物。

5.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述阻变存储层的材料为聚对二甲苯聚合物为聚对二甲苯C型、聚对二甲苯N型以及聚对二甲苯D型材料中的一种。

6.一种柔性透明存储阵列的制备方法包括以下步骤：

1)在硅或玻璃的基片上形成柔性透明的衬底；

2)在衬底上生长一层柔性透明的导电层，光刻图形化，形成m个条状的底电极，m为自然数；

3)在底电极上溅射透明的氧化物薄膜，形成功能层；

4)在功能层上溅射透明的导电薄膜，形成电极层，从而制备得到了透明的选择管；

5)涂覆一层光刻胶，光刻并刻蚀至底电极的上表面，形成通孔；

6)淀积阻变材料，形成阻变存储层；

7)光刻刻蚀在底电极上的部分阻变材料，从而定义出底电极的引出通孔，同时，形成隔离侧墙；

8)在阻变存储层上生长柔性透明的导电层，光刻图形化，形成n个条状的顶电极，同时形成底电极的引出电极，n为自然数；

9)分离柔性透明的衬底与基片。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述衬底的厚度在2～500μm之间。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，所述功能层的厚度在50～120nm之间。

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，所述电极层的厚度在100～300nm之间。

10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中，所述阻变存储层的厚度在30～60nm之间。