[发明专利]制造堆叠的氮化物半导体结构的方法以及制造氮化物半导体发光装置的方法

权利要求书

1.一种制造堆叠的氮化物半导体结构的方法，其包括：

在具有第一热膨胀系数的基材的第二表面上形成第一保护薄膜，第二表面构造为与基材的第一表面相对；

在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，第一氮化物半导体层具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；

在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜；

去除第一保护薄膜，以露出基材的第二表面；

在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，第二氮化物半导体层具有与第二热膨胀系数大致相等的第三热膨胀系数；和

去除第二保护薄膜，以露出第二氮化物半导体层的表面。

2.权利要求1的方法，其中

在形成第一氮化物半导体层中，在第一保护薄膜上形成第一沉积物质，在去除第一保护薄膜中，第一沉积物质与第一保护薄膜同时去除。

3.权利要求1的方法，其中

在形成第二氮化物半导体层中，在第二保护薄膜上形成第二沉积物质，在去除第二保护薄膜中，第二沉积物质与第二保护薄膜同时去除。

4.权利要求1的方法，其中

通过各向同性蚀刻进行对第一保护薄膜和第二保护薄膜的去除。

5.权利要求1的方法，其中

第一保护薄膜由与第二保护薄膜相同的材料构成，通过第一化学溶液实施对第一保护薄膜的去除，同时用第三保护薄膜覆盖第二保护薄膜。

6.权利要求5的方法，其中

第一保护薄膜和第二保护薄膜都由氧化硅构成。

7.权利要求1的方法，其中

第一保护薄膜由与第二保护薄膜不同的材料构成，通过对第二保护薄膜具有选择性的第二化学溶液实施对第一保护薄膜的去除。

8.权利要求7的方法，其中

第一保护薄膜由氧化硅构成，而第二保护薄膜由氮化硅构成。

9.权利要求1的方法，其中

基材由选自以下的至少一种材料构成：硅、蓝宝石、碳化硅和氧化锌。

10.权利要求1的方法，其中

第二氮化物半导体层由GaN层、第一GaN包覆层、MQW层、第二GaN包覆层和GaN接触层依次层叠构成。

11.权利要求10的方法，其中

MQW层可选地包含GaN势垒层和InGaN量子阱层，MQW层的最上层是InGaN量子阱层。

12.一种制造氮化物发光半导体装置的方法，其包括：

在具有第一热膨胀系数的基材的第二表面上形成第一保护薄膜，第二表面构造为与基材的第一表面相对；

在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，第一氮化物半导体层具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；

在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜；

去除第一保护薄膜，以露出基材的第二表面；

在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，其由GaN层、第一GaN包覆层、MQW层、第二GaN包覆层和GaN接触层依次层叠构成，第二氮化物半导体层具有与第二热膨胀系数大致相同的第三热膨胀系数；

去除第二保护薄膜，以露出第二氮化物半导体层的表面，

从GaN接触层到GaN包覆层，去除一部分第二氮化物半导体层，以露出GaN包覆层的表面；

在GaN接触层上形成第一电极；和

在第一镀层上形成第二电极。

13.权利要求12的方法，其中

在形成第一氮化物半导体层中，在第一保护薄膜上形成第一沉积物质，在去除第一保护薄膜中，第一沉积物质与第一保护薄膜同时去除。

14.权利要求12的方法，其中

在形成第二氮化物半导体层中，在第二保护薄膜上形成第二沉积物质，在去除第二保护薄膜中，第二沉积物质与第二保护薄膜同时去除。

15.权利要求12的方法，其中

第一保护薄膜由与第二保护薄膜相同的材料构成，通过第一化学溶液实施对第一保护薄膜的去除，同时用第三保护薄膜覆盖第二保护薄膜。