[发明专利]一种制作单根纳米线微电极的方法

权利要求书

1. 一种制作单根纳米线微电极的方法，其特征在于该方法的具体步骤是： 

步骤(1).将纳米线扩散在酒精中，超声分散后将分散有纳米材料的酒精滴加或旋涂到衬底表面，酒精挥发后，纳米线即分散到衬底表面；

步骤(2).将金属网置于衬底表面，纳米线分布在衬底表面与金属网之间，然后将不锈钢网覆在金属网上；衬底、金属网和不锈钢网组成电极制作构件；

所述的金属网为100～5000目无碳膜支撑的裸金属网；

所述的不锈钢网的网孔是边长为10～200微米的正方形微孔，微孔深度为10～1000微米，不锈钢网的肋宽为5～50微米；

步骤(3).在电极制作构件上表面进行金属镀膜，金属膜厚度控制为50～500纳米；

步骤(4).依次取下不锈钢网和金属网，大量正方形的金属膜方块在衬底上呈矩阵分布，利用电子显微镜在衬底上搜索两端分别在相邻两个金属膜方块下的纳米线，将该相邻两个金属膜方块作为该纳米线的两个电极。

2.如权利要求1所述的一种制作单根纳米线微电极的方法，其特征在于：步骤(3)中在电极制作构件上表面进行金属镀膜的方法采用磁控溅射方法、电子束蒸发方法或热蒸发方法。