[发明专利]半导体装置及其制造方法、光接近处理方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在上述半导体衬底上形成逻辑电路的逻辑电路区域；以及

第1和第2晶体管，具有经栅极绝缘膜形成在上述半导体衬底上的栅电极以及在上述栅电极的两端形成在上述半导体衬底表面上的源极区域/漏极区域，并构成上述逻辑电路，

与上述第1和第2晶体管中的栅电极连接的栅极布线具有L形的弯曲部，上述第1晶体管的栅极布线弯曲部的内径小于上述第2晶体管的栅极布线弯曲部的内径。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1晶体管的栅极布线弯曲部的外径小于上述第2晶体管的栅极布线弯曲部的外径。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

从上述第1晶体管的栅极布线弯曲部到上述源极区域的距离小于从上述第2晶体管的栅极布线弯曲部到上述源极区域的距离。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在上述半导体衬底上形成逻辑电路的逻辑电路区域；

第1晶体管，在上述逻辑电路区域具有在激活区域上经栅极绝缘膜按第1间距形成的多根栅极布线、以及在上述栅极布线之间与上述激活区域电连接的触点，并构成上述逻辑电路；以及

多根虚拟栅极布线，在上述逻辑电路区域，经绝缘膜在虚拟激活区域上按第2间距形成，

上述栅极布线以及上述虚拟栅极布线分别包括：端部和L形的弯曲部，上述栅极布线的上述弯曲部的内径小于上述虚拟栅极布线的上述弯曲部的内径，上述栅极布线的上述端部的凸出大于上述虚拟栅极布线的上述端部的凸出。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1间距和上述第2间距大致相等。

6.一种光接近处理方法，用于制造包括逻辑电路的半导体装置，其特征在于，该方法包括：

在上述逻辑电路的设计布图的第1区域，以规定精度进行第1光接近修正处理的步骤(a)；以及

在上述逻辑电路的设计布图的第2区域，以低于上述规定精度的精度进行第2光接近修正处理的步骤(b)，

上述步骤(a)在上述步骤(b)之后进行。

7.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，该方法包括：

使用通过将从上述步骤(a)和上述步骤(b)获得的光接近修正后的布图图案进行绘制而形成的光掩模，在涂敷有光抗蚀剂的半导体衬底上转印上述布图图案的步骤；以及

根据转印的上述布图图案，对晶片进行加工的步骤。

8.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，该方法包括：

使用从上述步骤(a)和上述步骤(b)获得的、设置于直接绘图装置内的存储单元中的光接近修正后的布图图案，在涂敷有光抗蚀剂的半导体衬底上直接绘图的步骤；以及

根据绘制的上述布图图案，对晶片进行加工的步骤。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述步骤(b)，上述第2光接近修正处理，通过施加一致的偏置来进行。

10.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤(b)，上述第2光接近修正处理是通过以上述规定精度仅对边缘的位置进行处理来进行的。

11.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤(b)，上述第2光接近修正处理是通过以低于上述规定精度的精度分割边缘来进行的。

12.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤(b)，上述第2光接近修正处理是通过简化规则库光接近修正的规格来进行的。

13.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求6所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤(b)，上述第2光接近修正处理是通过减缓模型库光接近修正的规格来进行的。