[发明专利]半导体发光装置及其制备方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年3月15日提交的日本专利申请No.2011-056613并主张其优先权，所述专利申请的全文援引并入本申请中。

技术领域

本申请中描述的实施方案大致涉及半导体发光装置及其制备方法。

背景技术

半导体发光装置可基于半导体发光元件(以下简称为发光元件)和磷光体(phosphor)。例如，已知半导体发光装置，其中发出蓝光的发光元件(例如，蓝色LED(发光二极管))与发出和蓝光互补的黄光的磷光体结合以获得白光。

这种半导体发光装置可以通过在壳中提供发光元件，并将与磷光体混合的糊状树脂滴加到所述发光元件上来制备。

这种情况下，将磷光体混合到树脂中，从而其量占规定的比例(浓度)。然而，如果磷光体的量的比例固定，问题在于从发光元件发出的光的波长变化会导致其色度变化增大。

发明内容

根据一个实施方案，通常半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。将波长转换部提供到所述发光部的一个主要表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长分布。

附图说明

图1A和1B为显示根据第一实施方案所述的半导体发光装置的剖面示意图。

图2为显示从形成于基底上的多个发光部发出的光的波长分布的示意图。

图3A和3B是显示波长和色度之间关系的示意图。

图4是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图5A和5B也是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图6也是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图7A至8D是显示根据第二实施方案所述的半导体发光装置的制备方法流程的剖面示意图。

发明详述

下面参照附图说明实施方案。附图中，相似的元件都用相同的标记数字标记，并适当省略相似元件的详细描述。

作为实例，下文说明包括多个发光部的半导体发光装置(所谓的多芯片半导体发光装置)。

第一实施方案

图1A和1B为显示根据第一实施方案所述的半导体发光装置的剖面示意图。

如图1A所示，所述半导体发光装置1包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7和波长转换部8。

如图1B所示，所述半导体发光装置1a还包括壁部9，对每个发光部2，壁部9围绕所述波长转换部的外围。

所述发光部2包括主表面M1，以及与所述主表面M1相对的主表面M2。提供多个发光部2。

用于发光的发光部2包括半导体部2a、活性部2b以及半导体部2c。

所述半导体部2a可由n-型氮化物半导体形成。所述氮化物半导体的实例可包括GaN(氮化镓)、AlN(氮化铝)、AlGaN(氮化铝镓)以及InGaN(氮化铟镓)。

所述活性部2b设于所述半导体部2a和所述半导体部2c之间。

所述活性部2b可以配置成由阱层和阻挡层(熔覆层)组成的量子阱结构，所述阱层通过空穴和电子的重组产生光，所述阻挡层的带隙比所述阱层的带隙大。

所述量子阱结构可以是单量子阱(SQW)结构或者多量子阱(MQW)结构。也可堆叠多个单量子阱结构。

例如，所述量子阱结构可包括由InGaN形成的阱层和由GaN形成的阻挡层。

这种情况下，例如，利用诸如InGaN/GaN的多量子阱结构可以发出蓝光。利用诸如GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或者InGaN/AlGaN的多量子阱结构可以发出紫外光。

然而，所述活性部2b的配置并不局限于所述量子阱结构。可以适当地选择能够发光的结构。

半导体部2c可以由p-型氮化物半导体形成。所述氮化物半导体的实例可包括GaN、AlN、AlGaN和InGaN。

所述发光部2可以是例如发射波长峰值为350-600nm的发光二极管。

提供所述电极部3和所述电极部4以便在凹槽7a的底面和密封部7的末端表面之间贯穿。例如，所述电极部3和所述电极部4可呈圆柱状，且可由金属材料如Cu(铜)制成。

所述电极部3的一个末端部分电连接至所述连接部5。于是，通过该连接部5，所述电极部3和所述半导体部2a电连接。

所述电极部4的一个末端部分与所述半导体部2c电连接。