[发明专利]一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片

权利要求书

1.一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底(1)，其特征在于：硅基底(1)上加工有两个质量块(4-1)、(4-2)和三根单梁(3-1)、(3-2)、(3-3)，第一质量块(4-1)通过第一单梁(3-1)与硅基底(1)连接，第二质量块(4-2)通过第三单梁(3-3)与硅基底(1)连接，第一质量块(4-1)和第二质量块(4-2)之间通过第二单梁(3-2)连接，将硅基底(1)、质量块(4-1)、(4-2)及三根单梁(3-1)、(3-2)、(3-3)围成的空间加工成10～30μm薄膜(2)，硅基底(1)的背面与Pyrex7740玻璃(5)键合，将质量块(4-1)、(4-2)的背面减薄，使质量块(4-1)、(4-2)与Pyrex7740玻璃(5)之间在真空环境下留有5～10μm的间隙，同时将Pyrex7740玻璃(5)上的防吸附电极(9-1)、(9-2)插入键合区域(10)，将薄膜(2)、质量块(4-1)、(4-2)和Pyrex7740玻璃(5)之间形成的腔体抽真空，在硅基底(1)的正面，四个压敏电阻条(6-1)、(6-2)、(6-3)、(6-4)按照三根单梁(3-1)、(3-2)、(3-3)上的应力分布规律均布置在靠近其根部处，且沿着压阻系数最大的晶向，四个压敏电阻条(6-1)、(6-2)、(6-3)、(6-4)通过硅基底(1)上的金属引线(8)相互连接组成开环惠斯通电桥，电桥的输出端与硅基底(1)上的焊盘(7)相连。

2.根据权利要求1所述的一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，其特征在于：所述的三根单梁(3-1)、(3-2)、(3-3)厚度为10～40μm。

3.根据权利要求1所述的一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，其特征在于：所述的四个压敏电阻条(6-1)、(6-2)、(6-3)、(6-4)均由四折相同的电阻条组成，并且沿相同的晶向布置。

4.根据权利要求1所述的一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，其特征在于：所述的焊盘(7)采用Ti-Pt-Au多层引线技术。

5.根据权利要求1所述的一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，其特征在于：所述的金属引线(8)采用Ti-Pt-Au多层引线技术。

6.根据权利要求1所述的一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，其特征在于：所述的防吸附电极(9-1)、(9-2)采用Cr材料，防吸附电极(9-1)、(9-2)为梳齿状，与质量块(4-1)、(4-2)的接触面积小。