[发明专利]一种太阳电池双层减反射膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210069349.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102610694A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孔凡建;蔡济波 | 申请（专利权）人： | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210061 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 双层 减反射膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）利用等离子体增强化学气相沉积方法在经过清洗并扩散形成PN结的晶体硅片上沉积一层氮化硅薄膜；
2）利用液相沉积方法在氮化硅薄膜上沉积一层二氧化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种太阳电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的氮化硅薄膜的厚度为10nm～80nm，折射率为1.9～2.4；所述的二氧化硅薄膜的厚度为10nm～150nm, 折射率为1.4～1.9。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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