[发明专利]半导体器件以及电极端子

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

基板；

半导体芯片，安装于上述基板；

电极，与上述半导体芯片电连接；

电极端子，具有锡焊于上述电极的、作为一个端部的第1端子部和作为另一个端部的第2端子部；以及

壳体，覆盖上述基板、上述半导体芯片、上述电极、上述第1端子部、以及上述第2端子部，

其中，

上述电极端子的一部分露出到上述壳体的外部，

上述第1端子部和上述第2端子部在上述壳体的内部以朝向上述壳体的中央而对置的方式折弯，并且相接近地锡焊于上述电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述电极端子具有多组上述第1端子部和上述第2端子部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述第1端子部和上述第2端子部的、朝向与上述电极的锡焊面的折弯部背靠背地形成，并且各自的顶端向外。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

上述电极端子具有多组上述第1端子部和上述第2端子部。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

上述第1端子部的上述折弯部与上述第2端子部的上述折弯部之间有间隙。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

上述电极端子具有多组上述第1端子部和上述第2端子部。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

焊锡进入到上述间隙。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

上述间隙的宽度为1mm左右。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

露出到上述壳体的外部的上述电极端子的一部分构成为平面状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片具有IGBT，上述电极端子是上述IGBT的集电极端子或发射极端子。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片通过键合引线与电极电连接。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

金属基底锡焊于上述基板的与上述半导体芯片对置的面。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

上述基板由氮化铝构成，上述金属基底由铜构成。

14.一种电极端子，其特征在于，

具有：

形成为平板状的平板部；以及

上述平板部的两端大致垂直地折弯之后以朝向中央而对置的方式折回的第1端子部和第2端子部，

其中，

上述第1端子部和上述第2端子部的、朝向与电极的锡焊面的折弯部背靠背地形成，并且各自的顶端向外。

15.根据权利要求14所述的电极端子，其特征在于，

上述第1端子部的上述折弯部和上述第2端子部的上述折弯部之间有间隙。

16.根据权利要求15所述的电极端子，其特征在于，

焊锡进入到上述间隙。

17.根据权利要求15所述的电极端子，其特征在于，

上述间隙的宽度为1mm左右。

18.根据权利要求14所述的电极端子，其特征在于，

上述电极端子具有多组上述第1端子部和上述第2端子部。

19.根据权利要求15所述的电极端子，其特征在于，

上述电极端子具有多组上述第1端子部和上述第2端子部。