[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

半导体基板；

多个单元晶体管，设置在上述半导体基板上；

接触插头，在相邻的上述单元晶体管间埋入，与处于该相邻的单元晶体管间的扩散层电连接；

层间绝缘膜，埋入多个上述接触插头间；

存储元件，不设置在上述接触插头的上方，而设置在上述层间绝缘膜的上方；

侧壁膜，覆盖上述存储元件的侧面的至少一部分，从上述半导体基板的表面上方看时，以与上述接触插头重叠的方式设置；

下部电极，设置在上述存储元件的底面和上述层间绝缘膜之间及上述侧壁膜和上述接触插头之间，电连接上述存储元件和上述接触插头。

2.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述侧壁膜的外缘的形状是与上述下部电极的外缘的形状大致相同的形状。

3.权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述侧壁膜及上述下部电极为大致圆形，上述侧壁膜及上述下部电极的中心大致一致。

4.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述存储元件的外缘的形状与上述下部电极的外缘的形状大致相似。

5.权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述存储元件的外缘的形状与上述下部电极的外缘的形状大致相似。

6.权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述存储元件及上述下部电极为大致圆形，上述存储元件及上述下部电极的中心大致一致。

7.权利要求1到权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

从上述半导体基板的表面上方看时，上述存储元件和上述接触插头不重叠，具有间隙部分，

上述下部电极设置在上述间隙部分。

8.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述侧壁膜是至少硅氮化膜、铝氧化物、锆氧化物或这些的膜的复合膜。

9.权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述侧壁膜是至少硅氮化膜、铝氧化物、锆氧化物或这些的膜的复合膜。

10.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

还包括：上部电极，设置在上述存储元件上；

上述侧壁膜设置在上述上部电极的侧面、上述存储元件的侧面及上述下部电极的顶面的一部分。

11.权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

还包括：上部电极，设置在上述存储元件上；

上述侧壁膜设置在上述上部电极的侧面、上述存储元件的侧面及上述下部电极的顶面的一部分。

12.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述存储元件包含2个磁性层和在该2个磁性层间设置的隧道阻挡膜，

上述侧壁膜设置在上述隧道阻挡膜的顶面上及该隧道阻挡膜上某一方的上述磁性层的侧面。

13.权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述存储元件包含2个磁性层和在该2个磁性层间设置的隧道阻挡膜，

上述侧壁膜设置在上述隧道阻挡膜的顶面上及该隧道阻挡膜上某一方的上述磁性层的侧面。

14.权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述上部电极是至少Ta、氮化钛、氮化钨、氮化钽、Pt、Ir、Ru、Pd或这些材料的复合膜。