[发明专利]相变随机存取存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种相变随机存取存储器件，包括：

下电极接触，所述下电极接触形成在下电极接触孔中；

相变材料图案，所述相变材料图案被形成为包围所述下电极接触的上部的一侧；以及

绝缘层，所述绝缘层被掩埋在所述相变材料图案中并且被形成在所述下电极接触的上表面上。

2.如权利要求1所述的相变随机存取存储器件，其中，所述相变材料图案被形成为环型以包围所述下电极接触的上部的周围。

3.如权利要求2所述的相变随机存取存储器件，还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层被形成为包围所述相变材料图案的外周。

4.如权利要求1所述的相变随机存取存储器件，其中，所述下电极接触孔具有中空圆柱形状，并且所述下电极接触包括形成在所述下电极接触孔底部和侧壁上的导电层。

5.如权利要求1所述的相变随机存取存储器件，其中，所述下电极接触孔具有中空圆柱形状，并且所述下电极接触包括形成在所述下电极接触孔的侧壁的一部分上的导电层。

6.如权利要求5所述的相变随机存取存储器件，其中，所述下电极接触还包括填充在所述下电极接触孔的剩余区域中的绝缘层。

7.如权利要求1所述的相变随机存取存储器件，其中，所述下电极接触孔具有中空四棱柱形状，并且所述下电极接触包括形成在所述下电极接触孔的一个侧壁上的导电层。

8.如权利要求7所述的相变随机存取存储器件，其中，所述下电极接触还包括填充在所述下电极接触孔的其它区域中的绝缘层。

9.一种制造相变随机存取存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成层间绝缘层，并将所述层间绝缘层图案化以形成下电极接触孔；

在所述下电极接触孔中形成下电极接触；

将所述层间绝缘层去除设定的深度以暴露出所述下电极接触的上部；

在所述半导体衬底的整个结构上形成相变材料层；以及

通过将所述相变材料层图案化而形成相变材料图案，所述相变材料图案包围所述下电极接触的上部的一侧并且暴露出所述下电极接触的上表面。

10.如权利要求9所述的方法，其中，将所述相变材料层图案化的步骤包括沿着所述相变随机存取存储器件的字线方向和位线方向将所述相变材料层图案化。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述下电极接触孔被形成为中空圆柱形状，

其中，形成所述下电极接触的步骤包括在所述下电极接触孔的底部和侧壁上形成导电材料。

12.如权利要求9所述的方法，其中，所述下电极接触孔被形成为中空圆柱形状，

其中，形成所述下电极接触的步骤包括以下步骤：

在所述下电极接触孔的侧壁的一部分上形成导电材料；以及

在形成有所述导电材料的所述下电极接触孔的剩余区域中掩埋绝缘层。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述下电极接触被形成为中空四棱柱形状，

其中，形成所述下电极接触的步骤包括以下步骤：

在所述下电极接触孔的一个侧壁上形成导电材料层；以及

在形成有所述导电材料层的下电极接触孔的剩余部分中掩埋绝缘层。