[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括金属基体，其特征在于：该镀膜件还包括形成于该金属基体表层的渗碳-硅层、形成于该渗碳-硅层上的结合层以及形成于该结合层上的颜色层，该渗碳-硅层是通过对金属基体进行真空离子渗碳-硅处理而于金属基体表层渗入碳、硅元素而形成，该结合层由金属形成，该颜色层由金属元素与非金属元素组成。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该渗碳-硅层中碳元素的质量百分含量比金属基体中碳元素的质量百分含量高0.12%-0.42%，硅元素的质量百分含量比金属基体中硅元素的质量百分含量高0.05%-0.3%。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该渗碳-硅层的厚度为0.1mm-0.3mm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该金属基体为不锈钢，该结合层为铬。

5.如权利要求4所述的镀膜件，其特征在于：该颜色层由碳元素与铬元素组成，颜色层中碳元素与铬元素的原子个数比为1:（0.3-1），且颜色层中碳元素的质量百分含量由靠近结合层至远离结合层的方向呈梯度增加。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该颜色层为氮化铬、氮氧化铬、碳化钛、氮化钛及氮碳化钛中的一种。

7.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该颜色层通过磁控溅射方法形成。

8.一种镀膜件的制备方法，包括对金属基体进行真空离子渗碳-硅处理，以于该金属基体的表层渗入碳、硅元素而形成一渗碳-硅层，以及采用磁控溅射方法在该渗碳-硅层上依次沉积一结合层及一颜色层，其中，

沉积该结合层是在溅射条件下，以铬、钛及锆中的一种为靶材，在靶材上施加电源使靶材物质溅射并沉积到渗碳-硅层表面；

沉积该颜色层是在溅射条件下，以铬或钛为靶材，以乙炔、氧气及氮气中的一种或多种为反应气体，在靶材上施加电源是靶材物质溅射并沉积到结合层表面。

9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：该真空离子渗碳-硅处理包括：将金属基体放置于一真空炉中，将真空炉抽真空至压强为0.1Pa-1.0Pa，并将金属基体升温至450℃-600℃，向真空炉充入含碳离子及硅离子的离化气体，使真空炉内气压为0.5Pa-2.5Pa，所述碳离子与硅离子冲击金属基体而进入金属基体表层，由此于金属基体表层形成该渗碳-硅层，该真空离子渗碳-硅处理的时间为180min-300min。

10.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射条件包括以惰性气体为溅射气体，溅射气体的流量为150sccm-250sccm；镀膜压力为0.3Pa-0.6Pa；镀膜温度为130℃-180℃。