[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1导电型的漏层；

第1导电型的漂移层，形成在上述漏层上，有效杂质浓度低于上述漏层的有效杂质浓度；

第2导电型的基层，形成在上述漂移层上；

第1导电型的源层，选择性地形成在上述基层上；

栅极绝缘膜，形成在从上述源层的上表面贯穿上述基层的多个沟槽的内表面上；

栅电极，被埋入上述沟槽的内部；

层间绝缘膜，覆盖上述栅电极的上表面地形成在上述沟槽上，至少上表面比上述源层的上表面还位于上方；及

导电性或绝缘性的接触掩膜，形成在上述层间绝缘膜上。

2.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

具备覆盖上述接触掩膜、且与上述源层相接的源电极。

3.如权利要求1记载的半导体器件，其中，还具备：

埋入电极，设置在上述沟槽内的上述栅电极及上述栅极绝缘膜的下方；及

沟槽底部绝缘膜，形成在上述埋入电极和上述漂移层之间。

4.如权利要求2记载的半导体器件，其中，

在上述基层的上表面的、上述沟槽的相互之间的区域，形成了到达上述基层的内部的接触沟槽，

上述源电极埋入上述接触沟槽内。

5.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

上述漏层、上述漂移层、上述基层及上述源层由硅形成，

上述接触掩膜含有硅氧化物。

6.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

上述漏层、上述漂移层、上述基层及上述源层由硅形成，

上述接触掩膜含有硅。

7.如权利要求5记载的半导体器件，其中，还具备：

源电极，覆盖上述接触掩膜、且与上述源层相接；及

绝缘膜，设置在上述接触掩膜和上述源电极之间。

8.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

还具备与上述层间绝缘膜及上述接触掩膜的侧面相邻、且设置在上述源层上的硬掩膜。

9.如权利要求4记载的半导体器件，其中，

还具备设置在上述接触沟槽的底部之下的区域、且第2导电型的杂质浓度高于上述基层的载流子抽取层。

10.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

上述接触掩膜的材质是导入了磷的多晶硅。

11.如权利要求1记载的半导体器件，其中，

上述接触掩膜的状态是浮置。

12.如权利要求8记载的半导体器件，其中，

上述层间绝缘膜的上表面位于上述硬掩膜的上表面之下。

13.一种导体器件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

于在第1导电型的漏层上形成了有效杂质浓度比上述漏层的有效杂质浓度低的第1导电型的漂移层的半导体衬底上形成硬掩膜，该硬掩膜形成了在一个方向上延伸的多个开口部；

将上述硬掩膜作为掩膜而进行蚀刻，在上述半导体衬底的上述漏层的上表面之上的部分，形成沿上述一个方向延伸的多个沟槽；

在上述沟槽的内表面上形成栅极绝缘膜；

在上述沟槽的内部埋入导电材料而形成栅电极；

在上述栅电极上，以至少上表面比上述半导体衬底的上表面靠上、比上述硬掩膜的上表面靠下的方式形成层间绝缘膜；

在上述硬掩膜之间的上述层间绝缘膜上，形成接触掩膜；

将上述接触掩膜作为掩膜而进行蚀刻，除去上述硬掩膜；

通过将上述接触掩膜作为掩膜而进行蚀刻，以从上述沟槽的相互之间的上述半导体衬底的上表面到达上述基层的方式形成接触沟槽；

在上述半导体衬底的比上述栅电极的下表面还位于上方的部分，将上述接触掩膜作为掩膜而导入杂质，从而形成第2导电型的基层；及

通过将上述接触掩膜作为掩膜而导入杂质，在上述基层的上部的与上述沟槽相接的部分，形成第1导电型的源层。