[发明专利]图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器

权利要求书

1.一种图案化垂直磁记录介质，包括：

衬底；

平坦化层，在该衬底上；

非磁含Ru衬层，在该平坦化层上；

包括钴和铂的合金的垂直磁记录层；以及

氧化物膜，在该含Ru层和该磁记录层之间，

其中该磁记录层被图案化成多个离散的岛。

2.如权利要求1所述的介质，其中该氧化物膜包括选自钽氧化物、钴氧化物和钛氧化物的氧化物。

3.如权利要求1所述的介质，其中该氧化物膜具有小于1.5nm的厚度。

4.如权利要求3所述的介质，其中该氧化物膜是该含Ru层上的氧化物团簇的不连续膜，由此该磁记录层接触该含Ru层和该氧化物团簇。

5.如权利要求1所述的介质，其中该平坦化层包括合金，该合金包括Ni和Ta。

6.如权利要求5所述的介质，其中NiTa合金平坦化层具有大于20nm的厚度。

7.如权利要求1所述的介质，还包括在该平坦化层上且在该含Ru衬层下面并接触该含Ru衬层的NiW合金籽层。

8.如权利要求1所述的介质，其中该磁记录层合金是无氧化物的合金。

9.如权利要求1所述的介质，其中该磁记录层合金还包括Cr。

10.如权利要求1所述的介质，还包括在该衬底上、在该平坦化层下面的软磁导磁材料的软磁衬层(SUL)。

11.如权利要求10所述的介质，其中该平坦化层包括具有大于或等于2nm且小于或等于10nm的厚度的包括Ni和Ta的合金。

12.如权利要求10所述的介质，其中该SUL由选自包括合金CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB、CoCuFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr和CoZrNb的组的材料形成。

13.如权利要求10所述的介质，其中该SUL是通过非磁膜分隔开的多个导磁膜的叠层。

14.如权利要求13所述的介质，其中该叠层中的非磁膜提供该叠层中的导磁膜的反铁磁耦合。

15.如权利要求1所述的介质，其中该介质是磁记录盘，且其中该岛在该衬底上布置成多个基本同心的圆形道。

16.一种磁记录盘驱动器，包括：

如权利要求15的盘；

写头，用于磁化所述岛中的垂直磁记录层；以及

读头，用于读取所述岛中被磁化的记录层。

17.一种热辅助记录(TAR)磁记录盘驱动器，包括：

如权利要求15的盘，还包括在该衬底和该岛之间的热沉层；

写头，用于施加磁场到所述岛中的垂直磁记录层；

光学数据通道和近场换能器，用于引导辐射到所述岛以加热所述岛中的垂直磁记录层；以及

读头，用于读取所述岛中的被磁化的记录层。

18.一种图案化垂直磁记录盘，包括：

衬底；

在该衬底上的平坦化层，包括合金，该合金包括Ni和Ta；

在该平坦化层上的非磁的含Ru衬层；

包括钴和铂的无氧化物合金的垂直磁记录层；以及

在该含Ru层和该磁记录层之间的氧化物膜，该氧化物膜包括选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物且具有小于或等于1.5nm的厚度，

其中该垂直磁记录层被图案化成以多个同心道布置的多个离散的岛。

19.如权利要求18所述的盘，其中该氧化物膜是在该含Ru层上的氧化物团簇的不连续膜，从而该磁记录层接触该含Ru层和该氧化物团簇。

20.如权利要求18所述的盘，还包括在该平坦化层上、在该含Ru衬层下面且接触该含Ru衬层的NiW合金籽层。

21.如权利要求18所述的盘，其中NiTa合金平坦化层具有大于20nm的厚度。

22.如权利要求18所述的盘，还包括在该衬底上、在该平坦化层下面的软磁导磁材料的软磁衬层(SUL)，且其中NiTa合金平坦化层具有大于或等于2nm且小于或等于10nm的厚度。