[发明专利]一种功率集成电路

权利要求书

1.一种功率集成电路（20），其特征在于，包括：

    恒流二极管（220），

    与所述恒流二极管（220）反向串联连接的耐压二极管（210），以及

    阳极引脚和阴极引脚两个引脚；

其中，所述阳极引脚与所述耐压二极管（210）耦接。

2.如权利要求1所述的功率集成电路，其特征在于，所述阳极引脚从所述耐压二极管（210）的阳极引出，所述阴极引脚从所述恒流二极管的（220）阴极引出。

3.如权利要求1或2所述的功率集成电路，其特征在于，所述恒流二极管（220）由耗尽型NMOS晶体管等效形成，所述耗尽型NMOS晶体管的栅极（226）与源极（227）连接在一起形成所述恒流二极管（220）的阴极，从所述耗尽型NMOS晶体管的衬底（221）引出形成所述恒流二极管的阳极。

4.如权利要求3所述的功率集成电路，其特征在于，所述耗尽型NMOS晶体管包括高掺杂N型衬底（221）、在所述高掺杂N型衬底上外延生长形成的低掺杂N型半导体层（222）、形成在所述低掺杂N型半导体层上的源区（223）和沟道区（225）。

5.如权利要求4所述的功率集成电路，其特征在于，所述高掺杂N型衬底（221）的电阻率小于或等于0.004Ω·cm，所述低掺杂N型半导体层（222）的电阻率范围为大于或等于1Ω·cm且小于或等于5Ω·cm。

6.如权利要求1所述的功率集成电路，其特征在于，所述耐压二极管（210）的反向击穿电压大于或等于700V。

7.如权利要求1所述的功率集成电路，其特征在于，所述功率集成电路（20）的正向击穿电压（V_B）的范围为大于或等于100V，所述功率集成电路（20）的反向击穿电压（V_BR）的范围为大于或等于700V。