[发明专利]内建数字电源电路

权利要求书

1.一种内建数字电源电路，其特征在于，包括：第一镜像电流源、第二镜像电流源、第三镜像电流源、第四镜像电流源、第一电流源、第二电流源、以及内建模拟电源；

所述第一镜像电流源包括第一电流支路和第二电流支路；

所述第二镜像电流源包括第三电流支路和第四电流支路；

所述第三镜像电流源包括第五电流支路和第六电流支路；

所述第四镜像电流源包括第七电流支路和第八电流支路；

所述第一电流支路的一端与所述第一电流源连接，另一端接地；

所述第二电流支路的一端与所述第三电流支路的一端连接，所述第二电流支路的另一端接地，所述第三电流支路的另一端与外部电源电压连接；

所述第四电流支路的一端与所述外部电源电压连接，另一端与所述第五电流支路的一端连接，所述第五电流支路的另一端接地；

所述第六电流支路的一端与所述内建模拟电源连接，另一端与所述第七电流支路的一端连接，所述第七电流支路的另一端接地；

所述第八电流支路的一端与所述第二电流源连接，另一端接地；

所述第四电流支路和所述第五电流支路的公共端为输出端，用于输出所述内建数字电源电路的电压。

2.如权利要求1所述内建数字电源电路，其特征在于，还包括第一电容和第二电容；

所述第一电容的一极板与所述第五电流支路和所述第六电流支路的公共端相连，另一极板接地；

所述第二电容的一极板与输出端相连，另一极板接地。

3.如权利要求1或2所述内建数字电源电路，其特征在于，

第一电流支路为第一高压NMOS管形成的电流支路，第二电流支路为第二高压NMOS管形成的电流支路；；

第三电流支路为第一高压PMOS管形成的电流支路，第四电流支路为第二高压PMOS管形成的电流支路；

第五电流支路为第二低压PMOS管形成的电流支路，第六电流支路为第一低压PMOS管形成的电流支路；

第七电流支路为第二低压NMOS管形成的电流支路，第八电流支路为第一低压NMOS管形成的电流支路；

其中：

所述第一高压NMOS管的栅极与自身的漏极相连，且所述第一高压NMOS管的栅极与所述第二高压NMOS管的栅极相连，所述第一高压NMOS管的漏极连接所述第一电流源，所述第一高压NMOS管的源极及衬底连接地端；

所述第二高压NMOS管的漏极与所述第一高压PMOS管的漏极连接，所述第二高压NMOS管的源极及衬底连接地端；

所述第一高压PMOS管的栅极与自身的漏极相连，所述第一高压PMOS管的源极及衬底与外部电源电压连接；

所述第二高压PMOS管的栅极与所述第一高压PMOS管的栅极连接，所述第二高压PMOS管的源极及衬底与所述外部电源电压连接，所述第二高压PMOS管的漏极与所述第二低压PMOS管的源极连接；

所述第二低压PMOS管的漏极连接地端，所述第二低压PMOS管的衬底连接其自身的源极；

所述第一低压PMOS管的栅极与自身的漏极相连，与所述第二低压PMOS管的栅极连接，所述第一低压PMOS管的源极及衬底与所述内建模拟电源连接，所述第一低压PMOS管的漏极与所述第二低压NMOS管的漏极连接；

所述第二低压NMOS管的源极及衬底连接地端，所述第二低压NMOS管的栅极与所述第一低压NMOS管的栅极连接；

所述第一低压NMOS管的栅极与自身的漏极相连，且所述第一低压NMOS管的漏极与所述第二电流源连接，所述第一低压NMOS管的源极及衬底连接地端。