[发明专利]一种铜基电子封装材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210071809.4 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102601116A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 姜国圣;王志法;古一 | 申请（专利权）人： | 长沙升华微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B21B1/38 | 分类号： | B21B1/38;B21B47/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 封装 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜基电子封装材料的制备方法，其特征是：包括下述步骤：
a、将钼铜合金板置于内腔容量与该钼铜合金锭大小匹配的石墨模中，使钼铜合金板两侧侧面分别与石墨模内壁之间形成两侧空腔；
b、将铜板置于a工序中所形成之石墨模内的钼铜合金板两侧空腔，然后将已置入钼铜合金板和铜板的上述石墨模置入气氛保护状态下的加热炉中加热至1100-1500℃，待铜板熔化为液体铜填满空腔并自然冷却后即得铜-钼铜-铜三层复合锭坯；
c、将b工序中所得铜-钼铜-铜三层复合锭坯从上述加热炉中冷却后取出，在气氛保护下加热至300-1000℃进行轧制减薄加工至设定厚度的铜-钼铜-铜三层复合锭坯；
d、将c工序中所得减薄之铜-钼铜-铜三层复合锭坯进行先酸洗后冷轧，再在气氛保护状态下加热到300-1000℃进行热处理即得成品铜-钼铜-铜三层复合板。
2.根据权利要求1所述的铜基电子封装材料的制备方法，其特征是：所述的气氛保护状态可以是氢气、氮气、氩气、二氧化碳、一氧化碳上述气体中任意一种或二种气体之混合气体的保护状态。
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