[发明专利]一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法无效
申请号: | 201210071844.6 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102544241A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 钱善春;沈伟;鲁伟明;符欣;岳成武;胡辉;张金春 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 泰州地益专利事务所 32108 | 代理人: | 王楚云 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 还原 硅片 方法 | ||
1.一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗,除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全;
(2)、取出并用水洗净;
(3)、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全;
(4)、再取出并用水洗净;
(5)、最后将其置于体积百分含量为30%-70%的HF和HNO3的混合酸中,在6-20℃条件下进行化学清洗,以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层,并去除扩散过程中形成的PN结;
(6)、待反应完全后取出并用水洗净,获得所需硅片。
2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,上述步骤1中,所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液,其中,HCL和HF的体积比为1:0.5-4,HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积10%-30%。
3.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,上述步骤3中,所述酸溶液为HNO3的水溶液,其中,HNO3占酸溶液的体积百分含量为30%-60%。
4.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,上述步骤5中,所述所述混合酸中HF和HNO3的体积比为1:3-8。
5.根据权利要求1-4任一所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法,其特征是,上述步骤1、3中,均在20-40℃条件下进行化学清洗,直至反应完全。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的