[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括扫描线和信号线，所述扫描线由第一金属层形成，所述信号线由第二金属层形成；所述第一金属层和第二金属层皆为复层结构，该复层结构包括一主导电层及至少一阻挡层，其特征在于；

所述主导电层内部设有一熔点高于该主导电层的抑制金属层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，其特征在于；

所述栅极由所述第一金属层形成，所述源极和漏极由所述第二金属层形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述抑制金属层的厚度范围为0.5纳米～2纳米。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述主导电层由铝形成；所述抑制金属层由钼形成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括第一主导电层和第一阻挡层；所述第一主导电层内设置有第一抑制金属层；

所述第二金属层包括第二阻挡层、第二主导电层和第三阻挡层，所述第二主导电层中内设置有第二抑制金属层。

6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供玻璃基板，在玻璃基板上形成第一金属层，并对所述第一金属层刻蚀处理，形成扫描线；

在所述第一金属层上沉积形成绝缘层和半导体层；

在所述半导体层上形成第二金属层，并对所述第二金属层刻蚀处理，形成信号线；

沉积钝化层于所述第二金属层上，并在所述钝化层上形成透明电极层；其中，

所述第一金属层和第二金属层皆为复层结构，该复层结构包括一主导电层及至少一阻挡层，所述主导电层内部包括一熔点高于该主导电层的抑制金属层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一金属层刻蚀处理，形成扫描线的同时，还形成薄膜晶体管的栅极；

对所述第二金属层刻蚀处理，形成信号线的同时，还形成薄膜晶体管的源极和漏极。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上形成第一金属层的步骤具体包括；

在玻璃基板上溅镀第一部分铝膜层；在该第一部分铝膜层上溅镀一钼膜层；在该钼膜层上溅镀第二部分铝膜层，进而形成所述第一金属层。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述半导体层上形成所述第二金属层的步骤具体包括：

在所述半导体层上溅镀一钼膜层形成第二阻挡层；

在所述第二阻挡层上溅镀第一部分铝膜层，在该第一部分铝膜层上溅镀一钼膜层，在该钼膜层上溅镀第二部分铝膜层，进而形成第二主导电层；

在所述第二主导电层上溅镀一钼膜层形成所述第三阻挡层。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述抑制金属层的厚度范围为0.5纳米～2纳米。