[发明专利]等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻装置，其用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻，其特征在于，

该等离子体蚀刻装置具有：

环状构件，其以包围上述载置部上的基板的方式设置，且用于调整等离子体的状态；

加热机构，其用于加热该环状构件；

冷却机构，其用于冷却上述环状构件；

温度检测部，其用于检测上述环状构件的温度；

制程程序存储部，其用于存储处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度，该处理条件用于对基板进行蚀刻；以及

执行部，其从上述制程程序存储部读取处理制程程序，基于被读取的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值输出用于控制上述加热机构及上述冷却机构的控制信号。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述处理制程程序含有多个作为处理单位的步骤，

上述执行部针对各上述步骤设定上述环状构件的设定温度。

3.根据权利要求2所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述基板层叠有多种膜，该多种膜将要在上述处理容器内被连续蚀刻，

上述执行部使上述处理制程程序所包括的多个步骤分别与对上述多种膜进行蚀刻的步骤相对应。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述环状构件被静电吸盘静电吸附，该静电吸盘配置在支承部的表面部，该支承部包围上述载置部并且利用制冷剂进行冷却，

该等离子体蚀刻装置具有导热用的气体供给机构，该气体供给机构用于向该环状构件与上述静电吸盘之间供给导热用的气体，使得上述环状构件的热量向上述支承部侧散热，而对该环状构件进行冷却，

上述气体供给机构构成上述冷却机构的一部分，且利用上述控制信号进行控制。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述加热机构具有：

绝缘体，其设在上述环状构件的下部；以及

光源部，其设在上述处理容器的外部，该光源部用于透过上述绝缘体向上述环状构件照射加热用的光。

6.一种等离子体蚀刻方法，其用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻，其特征在于，

该等离子体蚀刻方法使用以包围上述载置部上的基板的方式设置且用于调整等离子体的状态的环状构件、用于加热该环状构件的加热机构、用于冷却上述环状构件的冷却机构，

该等离子体蚀刻方法包括下述工序：

读取与要进行蚀刻的基板相对应的处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度并且用于对基板进行蚀刻；

检测上述环状构件的温度；

基于在读取出的处理制程程序中写入的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值控制上述加热机构及上述冷却机构。

7.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

上述基板层叠有多种膜，该多种膜将要在上述处理容器内被连续蚀刻，

上述处理制程程序包括用于对上述多种膜分别进行蚀刻的多个作为处理单位的步骤，

针对各上述步骤设定上述环状构件的设定温度。