[发明专利]用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法

权利要求书

1.一种用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，该方法由一个自动传送装置实现，包括硅片载板（3）、硅片上料和硅片下料，具体的工艺步骤如下：

一、自动传送装置带动硅片载板（3），通过硅片上料将需刻蚀硅片（4）置于硅片载板（3）上；

二、载有硅片（4）的硅片载板（3）在自动传输装置的带动下经过平行放置的一组线性等离子源，载有硅片（4）的硅片载板（3）在自动传输装置的带动下在真空中按照30-3000mm/min的速度经过线性等离子源；

所述线性等离子源是由一对平行板组成，平行板的第一板（1）连接射频电源，第二板（2）接地，气体从第一板（1）处通入，带有硅片的载板向第二板（2）靠近通过；在射频电源的射频激发下两板之间形成等离子体，完成硅片的刻蚀；硅片的刻蚀按照以下化学方程式进行：

SF₆+O₂--------------》SFxO+F；

F+Si------------》SiFx；

三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；

四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅，载板回到硅片上料处原点，循环使用。

2.根据权利要求1所述的用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，所述线性等离子源的平行板长度远大于宽度。

3.根据权利要求2所述的用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，所述线性等离子源的平行板的宽度为50-500mm，长度为200-3000mm。

4.根据权利要求1或2或3所述的用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，所述线性等离子源的平行板一板上设有均匀分布的小孔，气体从小孔中流出使之均匀分布在硅片上。

5.根据权利要求1所述的用射频激发的线性等离子源，其射频频率是400Hhz 到 60 Mhz。

6.根据权利要求1所述的用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，所述线性等离子源的电极板下方加有平行于平行板的磁场，其磁力线的方向平行于平行板的宽度方向。

7.根据权利要求1所述的用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法，其特征是，所用气体是SF₆、F₂、CF₄、C₂F₆或C₃F₈及其混合物，加上O₂或N₂O及其混合物，可加入氯气以及一些惰性气体作为反应气体。