[发明专利]发光二极管装置无效

专利信息
申请号: 201210073215.7 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN103187509A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 洪志欣;邵世丰;陈嘉南 申请(专利权)人: 华夏光股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人: 文琦;杨本良
地址: 开曼群岛孟帕里斯&卡尔德P.O.Box*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种可调整光型的发光二极管装置。

背景技术

在发光二极管芯片制造完成后,经过封装程序形成发光二极管装置。良好的发光二极管装置具有高散热与光萃取效率,同时具有低能耗与寿命长等优点。

发光二极管装置发出的光,通常具有特定的配光曲线。如果此配光曲线并非为最终产品所需,必须再藉由透镜、反射罩、扩散板等组件进行二次光学设计,以达到法规或照明产品的配光需求。

因使用额外的组件,二次光学设计使成本增加。反射板、透镜、扩散板等会吸收光,导致发光效率降低,浪费能源。此外,一般发光二极管灯具的配光曲线为固定的;然而,不同的使用环境,可能会有不同的配光曲线需求。

鉴于上述,有需要提出一种发光二极管装置,以高效率、低成本、省能源的方式设计所需的配光曲线。

发明内容

本发明一实施例提供一种发光二极管装置,包含一基板;位于基板上的一发光二极管芯片;一护盖,与发光二极管芯片相隔一距离,护盖并与基板连接;以及一波长转换材料,位于护盖内表面上,或是波长转换材料分布于护盖之中;其中上述护盖外表面的侧面轮廓包含一直线以及一曲线。

附图说明

图1A至图1D显示本发明第一实施例的发光二极管装置,其中图1A为立体图,图1B为侧视图,图1C为剖面图,图1D为侧视图。

图1E为图1A至1C实施例的发光强度分布图。

图2A至图2C显示本发明第二实施例的发光二极管装置,其中图2A为立体图,图2B为侧视图,图2C为剖面图。

图2D为图2A至2C实施例的发光强度分布图。

图3A至图3C显示本发明第三实施例的发光二极管装置,其中图3A为立体图,图3B为侧视图,图3C为剖面图。

图3D为图3A至3C实施例的发光强度分布图。

图4A至图4C显示本发明第四实施例的发光二极管装置,其中图4A为立体图,图4B为侧视图,图4C为剖面图。

图4D为图4A至4C实施例的发光强度分布图。

图5A至图5C显示本发明第五实施例的发光二极管装置,其中图5A为立体图,图5B为侧视图,图5C为剖面图。

图5D为图5A至5C实施例的发光强度分布图。

图6A至图6C显示本发明第六实施例的发光二极管装置,其中图6A为立体图,图6B为侧视图,图6C为剖面图。

图6D为图6A至6C实施例的发光强度分布图。

图7显示一种根据本发明优选实施例的发光二极管装置。

图8显示一种根据本发明另一实施例的发光二极管装置。

主要组件符号说明

10基板

10a孔洞

20护盖

20a外帽盖

20b内帽盖

20c脚柱

22曲线

24直线

26内表面的侧面轮廓

30发光二极管芯片

40波长转换材料

50空气/透明高分子材料

具体实施方式

以下将详述本案的各实施例,并配合图式作为例示。除了这些详细描述之外,本发明还可以广泛地施行在其它的实施例中,任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本发明的范围内,并以权利要求所限定的范围为准。在说明书的描述中,为了使读者对本发明有较完整的了解,提供了许多特定细节;然而,本发明可能在省略部分或全部这些特定细节的前提下,仍可实施。此外,众所周知的步骤或组件并未描述于细节中,以避免造成本发明不必要的限制。图式中相同或类似的组件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是,图式仅为示意之用,并非代表组件实际的尺寸或数量,除非有特别说明。本文所述的方向是以图式作为参考基准。

为降低成本、提高效率,本发明藉由一次光学设计,达到所需的照明效果或光型。

由于本发明着重于发光二极管装置的光学设计,其电路、散热的细节则未限制,或可使用本领域所已知的结构,因此以下实施例省略这方面的描述。

一般发光二极管的发光角度通常可达120度以上。此种光型可称为“散光型”,其特征是光照范围大,发光强度在发光角度内为均匀分布,配光曲线接近普通照明灯。散光型的发光二极管灯适合用于室内和需要光线柔和均匀的场合。

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