[发明专利]带有集成高功率分立场效应晶体管和低压控制器的升压变换器

权利要求书

1.一种升压变换器的封装组件，其特征在于，该升压变换器封装组件包括：

低压控制器集成电路，该低压控制器集成电路包含控制器和内部检测元件；

高压垂直分立场效应晶体管，该高压垂直分立场效应晶体管具有连接到所述低压控制器集成电路的栅极；

其中，所述低压控制器集成电路和高压垂直分立场效应晶体管一起被封装在所述的升压变换器的封装组件中。

2.如权利要求1所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述控制器是脉宽调制控制器。

3.如权利要求1所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述内部检测元件包括电阻或晶体管。

4.如权利要求1所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述低压控制器集成电路附贴到该封装组件内的第一芯片区上。

5.如权利要求4所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述高压垂直分立场效应晶体管用导电环氧树脂层附贴到该封装组件内的第二芯片区上。

6.如权利要求1所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，该升压变换器的封装组件还包含安装在第二芯片区上的外部高压肖特基二极管。

7.如权利要求6所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述外部高压肖特基二极管是一底部阳极肖特基二极管，其具有连接到所述高压垂直分立场效应晶体管漏极的底部阳极。

8.如权利要求7所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述肖特基二极管的底部阳极与第二芯片区电接触。

9.如权利要求7所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述高压垂直分立场效应晶体管包括与第二芯片区电接触的底部漏极。

10.如权利要求1所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述低压控制器集成电路和高压垂直分立场效应晶体管附贴到该封装组件内的一个单芯片区上。

11.如权利要求10所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，所述的内部检测元件是分立的电流检测元件，其也附贴封装在单芯片区上。

12.如权利要求10所述的升压变换器的封装组件，其特征在于，其中所述高压垂直分立场效应晶体管是具有与单芯片区电接触的底部源极的底部源极分立场效应晶体管。