[发明专利]硅锭及其制造装置和方法、硅晶圆、太阳能电池和硅零件

权利要求书

1.一种硅锭制造装置，具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置的特征在于，

具有载置于所述坩埚上的盖，在所述盖的平面中心附近连接有所述惰性气体供给构件，

所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上端面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，

所述檐部配置于所述坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，

所述开口部形成在距所述坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域中，由所述开口部形成的所述坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为所述坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。

2.如权利要求1所述的硅锭制造装置，其特征在于，

所述盖的至少朝向所述坩埚的面由碳化硅构成。

3.一种利用权利要求1或2所述的硅锭制造装置制造硅锭的方法，其特征在于，

利用所述惰性气体供给构件，向所述坩埚内供给1l/min以上且100l/min以下流量的惰性气体。

4.一种通过权利要求1或2所述的硅锭制造装置制造的硅锭，其特征在于，

在同一水平截面上，在至少5处以上的点测定的氧浓度的标准偏差为1.5以下，在至少5处以上的点测定的碳浓度的标准偏差为3以下。

5.如权利要求4所述的硅锭，其特征在于，

在同一水平截面上，在至少5处以上的点测定的氧浓度的平均值为5×10¹⁷atm/cc以下，在至少5处以上的点测定的碳浓度的平均值为1×10¹⁷atm/cc以下。

6.一种硅晶圆，其特征在于，所述硅晶圆为将权利要求4或5所述的硅锭沿水平方向切片而成的硅晶圆，

在所述硅晶圆的表面上，在至少5处以上的点测定的氧浓度的标准偏差为1.5以下，在至少5处以上的点测定的碳浓度的标准偏差为3以下。

7.一种太阳能电池，其特征在于，

利用权利要求6所述的硅晶圆而构成。

8.一种硅零件，其特征在于，

由权利要求4或5所述的硅锭构成。