[发明专利]具有动态感测区间的集成电路及其操作方法

权利要求书

1.一种集成电路，包含：

一存储阵列具有一阈值定义，包括(i)多个阈值电压范围，其代表由该存储阵列的一部份所储存的数据值，以及(ii)一组感测区间分隔该多个阈值电压范围；其中

响应编程操作及擦除操作的其中至少之一，其是变动储存于一存储阵列的一部份中的数据值的一分布，而变动该存储阵列的该部分的一阈值定义。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中该存储阵列分割成多个存储群组，该多个存储群组中的存储群组由该存储群组所特定的阈值定义加以特性化，响应编程操作及擦除操作的其中至少之一，其是变动储存于该多个存储群组中的一存储群组储存的该数据值的一分布，而变动该多个存储群组中的该存储群组的一阈值定义。

3.根据权利要求1所述的集成电路，更包含：

控制电路，其变动该阈值定义。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中一测试机变动该阈值定义。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义通过变动该阈值电压范围来变动。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义通过根据该数据值的一相对分布所决定的该阈值电压范围的宽度来变动。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义通过决定该多个阈值电压范围的宽度来变动，使得于该存储阵列的该部份内，一第一阈值电压范围较一第二阈值电压范围更宽，而响应该存储阵列的该部份储存一较大数量的由该第一阈值电压范围代表的一第一数据值，其是相对于由该第二阈值电压范围代表的一第二数据值。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义通过变动该组感测区间来变动。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义通过变动该阈值定义中的至少一个感测区间的至少一个位置来变动。

10.根据权利要求1所述的集成电路，更包括：

参考存储器，储存该存储阵列的该部份补偿该存储阵列的该部份的该阈值定义变动的至少一存取特性偏移，

其中该至少一存取特性偏移包括一个或多个：

该存储阵列的该部份编程验证的一参考电流偏移，该存储阵列的该部份编程验证的一字线电平偏移，该存储阵列的该部份读取的一参考电流偏移，该存储阵列的该部份读取的一字线电平偏移；以及

其中根据该参考存储器中的该至少一个存取特性偏移来存取该存储阵列的该部份。

11.根据权利要求1所述的集成电路，更包括：

参考存储器，储存该存储阵列的该部份的至少一存取特性偏移其修改该存储阵列的该部份的存取；

其中该参考存储器的一读取时间不长于一字线存取该存储阵列的该部份的设置时间。

12.根据权利要求1所述的集成电路，更包括：

字线驱动器与该存储阵列耦接；

其中该存储阵列包括一参考存储器储存该存储阵列的该部份补偿该存储阵列的该部份的该阈值定义变动的至少一存取特性偏移，及该存储阵列的该部份的该参考存储器较该存储阵列的该部份更靠近该字线驱动器。

13.根据权利要求1所述的集成电路，更包括：

第一多条字线具有第一长度存取该存储阵列；

第二存储阵列包括一参考存储器储存该存储阵列的该部份补偿该存储阵列的该部份的该阈值定义变动的至少一存取特性偏移；

第二多条字线具有第二长度存取该第二存储阵列，该第二长度较该第一长度更短。

14.根据权利要求1所述的集成电路，更包括：

参考存储器，储存该存储阵列的该部份补偿该存储阵列的该部份的该阈值定义变动的至少一存取特性偏移；

其中该参考存储器使用具有错误更正码的方式存取。

15.根据权利要求1所述的集成电路，其中该阈值定义会变动，而响应储存于该存储阵列的该部份中的不同相对数量的该数据值。

16.根据权利要求15所述的集成电路，其中该相对数量是储存于该存储阵列的该部份的该多个数据值之一的一第一数量相对于储存于该存储阵列的该部份的一个或多个其他数据值的一个或多个其他数量的一个比例或百分比。