[发明专利]底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201210074536.9 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102623344A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林享;加地信幸;薮田久人 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底栅型 薄膜晶体管 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，包括：
在衬底上形成栅电极；
形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；
对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；
在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及
对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述氧化物半导体层包括非晶氧化物，所述非晶氧化物包括In和Zn。
3.根据权利要求1所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述氧化物半导体层包括非晶氧化物，所述非晶氧化物包括In、Zn和Ga。
4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，
其中，所述第二绝缘膜通过溅射来形成。
5.根据权利要求1-3中的任何一项所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，形成所述第二绝缘膜的步骤使用的溅射气体中包含的氧气和氩气的混合比大于等于10vol％且小于等于50vol％。
6.根据权利要求1-3中的任何一项所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，还包括如下的步骤：
形成源电极和漏电极；以及
使用所述第二绝缘膜作为蚀刻阻止体，对所述源电极和所述漏电极进行构图。
7.根据权利要求6所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，形成所述第二绝缘膜的步骤使用的溅射气体中包含的氧气和氩气的混合比大于等于10vol％且小于等于50vol％。
8.根据权利要求6所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第二绝缘膜通过溅射来形成。
9.根据权利要求8所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第二绝缘膜被形成为在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的氧。
10.根据权利要求1-3中的任何一项所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第二绝缘膜被形成为在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的氧。
11.根据权利要求10所述的底栅型薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第二绝缘膜通过溅射来形成。
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