[发明专利]一种用于黑硅制备的设备

权利要求书

1.一种用于黑硅制备的设备，包括反应室(100)、气体流量控制装置(110)、压强调控装置(140)、冷却装置(150)、线圈功率源组件、平板功率源组件，所述线圈功率源组件包括线圈射频功率发生器(120)、线圈射频匹配器(121)、射频线圈(122)，所述平板功率源组件包括平板射频功率发生器(130)、平板射频匹配器(131)和平板电极(132)，其特性在于：所述反应室(100)上方设置石英盖(101)，所述反应室(100)下部安装有用于放置待加工硅片样品的支撑台(102)；所述气体流量控制装置(110)，包括不少于两条用于通工作气体的气路(111)，其中一侧连接气瓶，另一侧连接所述反应室(100)上部；所述线圈射频功率发生器(120)和所述线圈射频匹配器(121)相连，所述线圈射频匹配器(121)与所述射频线圈(122)相连，所述射频线圈(122)位于所述反应室(100)腔体内；所述平板射频功率发生器(130)和所述平板射频匹配器(131)相连，所述射频匹配器(131)与所述平板电极(132)相连；所述压强调控装置(140)，包括出气口(141)、机械泵(142)、分子泵(143)，所述出气口(141)位于所述反应室(100)下端，所述机械泵(142)、分子泵(143)二者串联连接；所述冷却装置(150)直接连接到所述支撑台(102)。

2.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备，其特征在于：所述线圈射频功率发生器(120)的输出功率范围为100W-1200W。

3.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备，其特征在于：所述平板电极(132)分为上电极(132-1)和下电极(132-2)分别位于所述反应室(100)上部和下部。

4.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备，其特征在于：所述平板射频功率发生器(130)的输出功率范围为3W-150W。

5.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备，其特征在于：所述冷却装置150的控制温度为2℃-20℃。

6.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备，其特征在于：所述的一种用于黑硅制备的设备还包括自动控制单元、可触摸显示器、信号处理模块、电路控制模块。

7.根据权利要求1所述的一种用于黑硅制备的设备的使用方法，其特征在于：向所述反应室(100)内装入待刻硅片，抽取所述反应室(100)本底真空进行初始化，通入所述工作气体，调节所述工作压强，施加所述线圈射频功率及所述平板射频功率进行等离子体稳定，设置所述工艺参数对硅片进行刻蚀处理，刻蚀结束后抽取所述反应室(100)内残留气体，向所述反应室(100)充气，打开所述石英盖(101)并取片。