[发明专利]近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置有效
申请号: | 201210074958.6 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102682785B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 平田雅一;千叶德男;大海学 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 发生 元件 光头 信息 记录 再现 装置 | ||
技术领域
本发明涉及利用将光束聚光的近场光在磁记录介质上记录再现各种信息的近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置。
背景技术
近几年来,伴随着计算机设备中的硬盘等的容量增加,单一记录面内信息的记录密度不断增加。例如为了增大磁盘的单位面积的记录容量,需要提高面记录密度。可是,随着记录密度的提高,在记录介质上每比特所占的记录面积变小。该比特尺寸变小后,1比特的信息具有的能量就接近室温的热能,产生了记录的信息由于热起伏等而反转或消失等热减磁的问题。
在通常使用的面内记录方式中,是使磁化的方向朝着记录介质的面内方向地记录磁的方式。但在该方式中,容易发生上述热减磁引起的记录信息的消失等。因此,为了消除这种不良现象,近几年来采用在垂直于记录介质的方向垂直记录磁化信号的垂直记录方式。该方式是用靠近单磁极的原理在记录介质上记录磁信息的方式。采用该方式后,记录磁场朝着几乎垂直于记录膜的方向。由于N极和S极难以在记录膜面内形成回路,所以用垂直的磁场记录的信息容易保持能量的稳定。因此,与面内记录方式相比,该垂直记录方式耐热减磁的能力增强。
可是对近几年来的记录介质有希望进行更大量而且高密度信息的记录再现等的需求,要求进一步高密度化。因此,为了将相邻的磁区彼此的影响及热起伏控制到最小限度,作为记录介质开始采用顽磁力强的记录介质。因此,即使是上述垂直记录方式,也难以在记录介质上记录信息。
因此,为了消除上述不良现象,提供了利用将光聚光的点光或近场光局部性地加热磁区,使顽磁力暂时性地降低,在其间进行往记录介质的写入的混合磁记录方式的记录再现头。
在这种记录再现头中,利用近场光的记录再现头(近场光头)主要具备滑块、在滑块上配置的具有主磁极及辅助磁极的记录元件、由照射的激光产生近场光的近场光发生元件、朝着近场光发生元件照射激光的激光光源、将由激光光源发出的激光引导到近场光发生元件为止的光波导(例如参照专利文献1)。近场光发生元件具有光束传播元件和金属膜,该光束传播元件具有使激光边反射边传播的芯层、以及紧贴芯层并密封芯层的包层,该金属膜配置在芯层及包层之间,由激光产生近场光。芯层颈缩成形(絞り成形),即与从一端侧(光入射侧)朝着另一端侧(光出射侧)的激光传播方向正交的截面积逐渐减少,以使激光边聚光边向另一端侧传播。而且,在芯层的另一端侧的侧面配置上述金属膜。
利用这样构成的记录再现头时,在产生近场光的同时施加记录磁场,从而在记录介质上记录各种信息。就是说,由激光光源出射的激光经过光波导入射光束传播元件内。而且,入射光束传播元件的激光,在芯层内传播并到达金属膜。于是,在金属膜中,由于内部的自由电子在激光的作用下一样地振动,所以等离子体激元被激励,使芯层的另一端侧在定域化状态下产生近场光。其结果,磁记录介质的磁记录层被近场光局部性地加热,顽磁力暂时性地降低。
另外,在照射上述激光的同时,还向记录元件供给驱动电流,从而向靠近主磁极的前端的磁记录介质的磁记录层局部性地施加记录磁场。其结果,能够在顽磁力暂时性地降低的磁记录层中记录各种信息。就是说,能够利用近场光和磁场的合作,向磁记录介质进行记录。
专利文献1:日本特开2008-152897号公报
发明内容
可是,为了实现记录介质的进一步高密度化,需要缩小近场光的光点尺寸、更加局部性地加热磁记录介质的磁记录层、抑制上述热起伏现象等的影响。为了缩小近场光的光点尺寸,人们想到了缩小金属膜的宽度(从激光的传播方向看,是和芯层的界面的宽度)。
可是,因为金属膜(及芯层)是非常细微的图案(各自的尺寸为数十nm左右),所以在进行各自对位的基础上谋求进一步细微化存在着极限。
于是,本发明考虑上述情况而构思,其目的在于提供能够缩小近场光的光点尺寸的近场光发生元件、近场光头及信息记录再现装置。
为了解决上述课题,本发明提供下述方案。
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