[发明专利]CMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS器件，包括：

第一MOSFET；

与第一MOSFET类型不同的第二MOSFET；

覆盖在第一MOSFET上的第一应力层，具有第一应力，第一应力层包括DLC，具有4～12GPa的应力；

覆盖在第二MOSFET上的第二应力层，其中部分的DLC的第一应力层具有掺杂离子而转变为应力不同的第二应力层，

其中第一、第二MOSFET包括的栅极导电层的材料为材质不同的金属单质或金属合金或金属氮化物，掺杂离子对于PMOS而言包括Ga、In及其组合，对于NMOS而言包括Sb、As及其组合。

2.如权利要求1的CMOS器件，其中，第一应力和第二应力类型相同，且第二应力的绝对值小于第一应力。

3.如权利要求1的CMOS器件，其中，第二应力的类型与第一应力不同。

4.如权利要求1的CMOS器件，其中，第一应力或第二应力之一为零应力。

5.一种CMOS器件的制造方法，包括步骤：

形成第一MOSFET，以及与第一MOSFET类型不同的第二MOSFET，其中第一、第二MOSFET包括的栅极导电层的材料为材质不同的金属单质或金属合金或金属氮化物；

在第一MOSFET和第二MOSFET上形成第一应力层，具有第一应力，第一应力层包括DLC，具有4～12GPa的应力；

选择性地向第二MOSFET上的DLC的第一应力层掺杂，掺杂离子使得第二MOSFET上的部分DLC的第一应力层转变为第二应力层，具有与第一应力不同的第二应力，掺杂离子对于PMOS而言包括Ga、In及其组合，对于NMOS而言包括Sb、As及其组合。

6.如权利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第一应力和第二应力类型相同，且第二应力的绝对值小于第一应力。

7.如权利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第二应力的类型与第一应力不同。

8.如权利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第一应力或第二应力之一为零应力。

9.如权利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，选择性地向第二MOSFET上的第一应力层掺杂的步骤具体包括：

形成光刻胶图形，覆盖第一MOSFET上的第一应力层而暴露第二MOSFET上的第一应力层；

采用离子注入，向暴露的第一应力层中掺杂，掺杂离子使得第二MOSFET上暴露的部分第一应力层转变为第二应力层，具有与第一应力不同的第二应力；

去除光刻胶图形。

10.如权利要求9的CMOS器件的制造方法，其中，离子注入掺杂离子之后，还在200～1200℃温度下进行热处理。