[发明专利]光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件的制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201210075766.7 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102693842A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 小野彰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01G9/004 | 分类号: | H01G9/004;H01G9/20;H01G9/26;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/42;H01L27/30;H01L51/48 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 阵列 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种光电转换器件,其包含:
设置在基板上的多孔电极和对电极;
设置在所述多孔电极和所述对电极之间的电解质层;
设置在所述基板的其上设有所述多孔电极的面上的集电配线;以及
设置在所述基板的光入射侧的光导结构。
2.如权利要求1所述的光电转换器件,其中,设置所述光导结构从而避免入射光的光导通路被所述集电配线阻挡,从而使所述入射光可以导入所述多孔电极。
3.如权利要求2所述的光电转换器件,其中,所述光导结构是柱形凸棱镜。
4.如权利要求3所述的光电转换器件,其中,所述光导结构的底面具有关于直线对称的形状。
5.如权利要求4所述的光电转换器件,其中,所述集电配线是具有矩形底面的柱体并且其上设有用于保护所述集电配线免受所述电解质层中的电解液影响的集电配线保护层。
6.如权利要求5所述的光电转换器件,其中,所述基板是透明基板,并且所述光导结构设置在所述透明基板的光入射侧的面上。
7.如权利要求6所述的光电转换器件,其进一步包含:
设置在所述基板和所述多孔电极之间的透明电极。
8.如权利要求7所述的光电转换器件,其进一步包含:
设置在所述光导结构的表面上的抗光反射层。
9.如权利要求8所述的光电转换器件,其中,所述抗光反射层是通过在所述光导结构的表面上形成多层膜或纳米尺寸的结构体而构成的。
10.如权利要求2所述的光电转换器件,其中,所述光导结构是液体透镜。
11.如权利要求2所述的光电转换器件,其中,所述光导结构包括在所述基板的光入射侧的面上形成的凸面或凹面。
12.如权利要求2所述的光电转换器件,其中,所述光导结构是设置在所述基板的光入射侧的面上的槽。
13.如权利要求12所述的光电转换器件,其中,所述槽具有垂直于其纵向的V形横截面,并且所述V形横截面具有关于直线对称的形状。
14.如权利要求7所述的光电转换器件,其中,所述光电转换器件是染料增感型太阳能电池。
15.一种光电转换器件阵列,其包含:
多个光电转换器件,它们通过集成配线使其集电配线相互连接从而集成化;
其中至少一个所述光电转换器件包含设置在基板上的多孔电极和对电极以及设置在所述多孔电极和所述对电极之间的电解质层;设置在所述基板的其上设有所述多孔电极的面上的集电配线;设置在所述基板的光入射侧的光导结构;和
设置在所述集成配线的光入射侧的光导结构。
16.如权利要求15所述的光电转换器件阵列,其中,所述光导结构具有垂直于其纵向的V形横截面。
17.如权利要求16所述的光电转换器件阵列,其中,所述光电转换器件是染料增感型太阳能电池。
18.一种用于制造光电转换器件的方法,其包括:
在基板的光入射侧的面上设置光导结构;
在与所述基板的光入射面相反的面上形成集电配线,并进一步在所述集电配线上通过层压形成多孔电极;并且
形成其中在所述多孔电极和对电极之间填充电解质层的结构。
19.如权利要求18所述的光电转换器件的制造方法,其中所述光导结构是通过分配透明的光固化树脂的流动法或纳米压印法形成的。
20.一种电子设备,其包含:
至少一个光电转换器件,其包含设置在基板上的多孔电极和对电极以及设置在所述多孔电极和所述对电极之间的电解质层;
设置在所述基板的其上设有所述多孔电极的面上的集电配线;以及设置在所述基板的所述光入射侧的光导结构。
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