[发明专利]用于底部填充控制的平坦化凸块

权利要求书

1.一种芯片封装件，包括：

在所述芯片封装件的第一芯片和衬底之间的多个凸块结构，以及

在所述多个凸块结构中的一个靠近所述第一芯片中心的凸块结构中的焊料层厚于在所述多个凸块结构中的另一个靠近所述第一芯片边缘的凸块结构中的焊料层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中所述多个凸块结构中的每一个都包括铜层和金属层，其中所述金属层位于所述铜层和所述焊料层之间。

3.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中所述衬底是插入件。

4.一种衬底，包括：

多个凸块结构，所述多个凸块结构中的每一个都包括：

焊料层，

铜层，

金属层，其中所述金属层位于所述焊料层和所述铜层之间；

其中所述多个凸块结构中的一个靠近所述衬底中心的凸块结构中的焊料层厚于所述多个凸块结构中的另一个靠近所述衬底边缘的凸块结构的焊料层。

5.根据权利要求4所述的衬底，其中每个所述焊料层都被平坦化并且所述多个凸块结构的高度大致相同。

6.一种在衬底上形成多个凸块结构的方法，包括：

在所述衬底上形成凸块下金属(UBM)层，其中所述UBM层与所述衬底上的金属垫接触；

在所述UBM层之上形成光刻胶层，其中所述光刻胶层限定用于形成多个凸块结构的多个开口；

在每一所述开口内电镀多层，其中金属层为多个所述凸块结构中的一部分；以及

在电镀所述金属层后平坦化所述多个凸块结构至相对于所述衬底表面的目标高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多层包括铜层、金属层和焊料层，其中所述金属层位于所述铜层和所述焊料层之间，并且所述铜层与所述UBM层接触。

8.一种形成芯片封装件的方法，包括：

提供具有第一多个凸块结构的第一芯片，其中所述第一多个凸块结构被平坦化至第一高度；

提供具有第二多个凸块结构的衬底，其中所述第二多个凸块结构被平坦化至第二高度；以及

将所述第一多个凸块结构和所述第二多个凸块结构接合在一起，其中所述第一芯片和所述衬底之间的间距为一值。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括用底部填充物材料底部填充所述第一芯片和所述衬底之间的间隔。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

提供具有第三多个凸块结构的第二芯片，其中所述第三多个凸块结构被平坦化至第三高度；以及

将所述第三多个凸块结构与在所述衬底上的所述第二多个凸块结构接合，其中所述第二芯片和所述衬底之间的间距大致等于所述值。