[发明专利]一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法

权利要求书

1.一种内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，通过硼离子注入在所述半导体衬底上制备一层P型漂移区；提供一开设有多组平行排列的离子注入窗口的掩模板，所述多组离子注入窗口从所述掩模板的一侧趋向另一侧依次减小；

2)向所述P型漂移区中注入N型离子并藉由所述掩模板的遮挡以控制N型离子的浓度分布；

3)将所述半导体衬底退火，以在所述P型漂移区中形成互相间隔且平行排列的多个岛状N区，且各该岛状N区由其一端朝向另一端线性变小；

4)在所述P型漂移区上且临近所述岛状N区的大头端制备出N型体区，并在所述N型体区上方制备出P型源区、N型体接触区及栅氧化层；在所述P型漂移区上且临近所述岛状N区的小头端制备出P型漏区。

2.根据权利要求1所述的内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于：于所述步骤2)中，通过多次重复向所述P型漂移区中注入N型离子并藉由所述掩模板的遮挡以控制N型离子的浓度分布，并经所述步骤3)中退火后，在所述P型漂移区中形成多个互相间隔且横向平行排列并纵向平行排列的岛状N区。

3.根据权利要求1所述的内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底为体硅衬底或SOI衬底。

4.根据权利要求3所述的内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于：所述P型漂移区及岛状N区形成于所述SOI衬底的顶层硅中。

5.根据权利要求1、2或4所述的内嵌多N岛P沟道超结器件的制备方法，其特征在于：所述岛状N区为从P型源区朝P型漏区方向上由大变小的N岛结构。

6.一种内嵌多N岛P沟道超结器件，其特征在于，包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧且包括有P型源区、N型体接触区及栅氧化层的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状N区，且各该岛状N区由P型源区朝P型漏区方向线性变小。

7.根据权利要求6所述的内嵌多N岛P沟道超结器件，其特征在于：所述P型漂移区中形成的多个岛状N区互相间隔且横向平行排列并纵向平行排列。

8.根据权利要求6所述的内嵌多N岛P沟道超结器件，其特征在于：所述半导体衬底为体硅衬底或SOI衬底。

9.根据权利要求8所述的内嵌多N岛P沟道超结器件，其特征在于：所述P型漂移区及岛状N区形成于所述SOI衬底的顶层硅中。

10.根据权利要求6、7或9所述的内嵌多N岛P沟道超结器件，其特征在于：所述岛状N区为从P型源区朝P型漏区方向上由大变小的N岛结构。