[发明专利]一种P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料及其制备方法

权利要求书

1.一种P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料，其特征在于：0＜x＜1；P型掺杂的掺杂源选自Ag₂S、Cu₂S、NH₃、PH₃中的一种或几种。

2.一种权利要求1所述的P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料的制备方法，其特征在于：

按配比量称取硫化镉粉末、硫化锌粉末和固体掺杂源，将硫化锌粉末置于一号瓷舟中，将所述一号瓷舟置于管式炉的加热源处；将硫化镉粉末和固体掺杂源混合研磨后置于二号瓷舟中，将所述二号瓷舟置于管式炉的加热源处且所述二号瓷舟位于一号瓷舟的上游；将蒸金硅片置于加热源下游10-14cm处，向炉体内通入氩氢混合气体，炉内压强为1.35×10³Pa，随后管式炉开始升温，控制加热源处温度为1000℃并保温2小时，自然冷却至室温后得到P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料；

所述固体掺杂源选自Ag₂S和/或Cu₂S，掺杂量为硫化镉粉末和硫化锌粉末总质量的2-10％。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述硫化锌粉末、硫化镉粉末和固体掺杂源的纯度≥99.99％。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：氩氢混合气的流速为30sccm，氩氢气体积比为95∶5。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：管式炉升温时的升温速率为20℃/min。

6.一种权利要求1所述的P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料的制备方法，其特征在于：

按配比量称取硫化镉粉末和硫化锌粉末并研磨混合得混合料，将混合料置于瓷舟中并将所述瓷舟和蒸金硅片放入管式炉中，瓷舟位于加热源处，蒸金硅片位于加热源下游10-14cm处，向炉体内通入氩氢混合气体和气体掺杂源，炉内压强为1.35×10³Pa，瓷舟处升温至1000℃并保温2小时，得到P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料；

所述气体掺杂源选自NH₃和/或PH₃。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述硫化镉粉末和硫化锌粉末的纯度≥99.99％。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：氩氢混合气的流速为50sccm，氩氢气体积比为95∶5。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：管式炉升温时的升温速率为20℃/min。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述气体掺杂源的流速为40-60sccm。