[发明专利]基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210077102.4 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102610275A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋阳;吴翟;张玉刚;于永强;朱志峰;蓝新正 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 硒化镉 纳米 线肖特基结型 多字 挥发性 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器，其特征是具有如下结构：
在覆有二氧化硅层(2)的硅基底(1)表面分散有平铺的硒化镉纳米线(5)，在二氧化硅层(2)的表面设置有肖特基电极(3)和欧姆电极(4)，以所述硒化镉纳米线(5)为轴线所述肖特基电极(3)和欧姆电极(4)分别位于轴线的两侧，所述肖特基电极(3)与所述硒化镉纳米线(5)形成肖特基接触，作为输出极，所述欧姆电极(4)与所述硒化镉纳米线(5)形成欧姆接触，作为另一输出极。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述肖特基电极(3)选自金电极或铂金电极；所述欧姆电极(4)选自铟电极或钛电极。
3.一种权利要求1或2所述的基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器的制备方法，其特征在于：
将硒化镉纳米线(5)分散到覆有二氧化硅层(2)的硅基底(1)的表面；采用紫外光刻的方法在二氧化硅层(2)的表面硒化镉纳米线(5)的一侧光刻出欧姆电极图案，然后通过电子束镀膜方法在二氧化硅层(2)表面蒸镀得到欧姆电极(4)，所述欧姆电极(4)与硒化镉纳米线(5)形成欧姆接触；再次利用紫外光刻的方法在二氧化硅层(2)的表面硒化镉纳米线(5)的另一侧光刻出肖特基电极图案，然后通过电子束镀膜方法在二氧化硅层(2)表面蒸镀得到肖特基电极(3)，所述肖特基电极(3)与硒化镉纳米线(5)形成肖特基接触。
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