[发明专利]一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法有效
| 申请号： | 201210077724.7 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102623320A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表征 多层 栅极 多晶 电阻 方法 | ||
1.一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述多层栅极金属/多晶硅栅极，所述方法的具体步骤如下：
步骤一: 在衬底上生成多层栅极；
步骤二：进行光刻，用栅电阻光罩打开要测试的图案；
步骤三：然后进行干法蚀刻，直至多层栅极的金属层；
步骤四：最后进行湿法蚀刻，去除多层栅极的金属层，露出多晶硅。
2.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中生成的多层栅极中的金属栅可以是W，Ti，Al，WN中的一种或其混合。
3.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中生成的多层栅极中的金属栅优选为Ti/WN/W。
4.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中的生成的多层栅极中的金属栅的厚度为450~650?。
5.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中生成的多层栅极中的金属栅的厚度优选为Ti30?，WN50?，W450?。
6.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中生成的多层栅极中的多晶硅栅的厚度为600~1000?。
7.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述步骤一中生成的多层栅极中的多晶硅栅的厚度优选为800?。
8.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述的步骤一中生成的多层栅极中的多晶硅栅的宽度为0.12μm~2μm。
9.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述的步骤二中进行光刻，多晶硅光罩的关键尺寸b为0.14μm~2.5μm，c为0.5μm~10μm。
10.如权利要求1所述的一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法，其特征在于：所述的方法的工艺步骤可在侧壁层形成之后的任何步骤之间进行实施。
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