[发明专利]一种减少烃类蒸汽裂解过程结焦和一氧化碳生成的方法有效
申请号: | 201210077947.3 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN103320155A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 田亮;王际东;杨利斌;宋帮勇;许江;张松显;苟文甲;程中克;刘飞;程亮亮;任海鸥;马应海;樊英杰;景媛媛 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气股份有限公司;北京化工大学 |
主分类号: | C10G9/14 | 分类号: | C10G9/14;C10G9/16 |
代理公司: | 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 11013 | 代理人: | 张茵 |
地址: | 100007 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 蒸汽 裂解 过程 结焦 一氧化碳 生成 方法 | ||
1.一种减少烃类蒸汽裂解过程结焦和一氧化碳生成的方法,其特征在于在600-900℃温度下使用至少一种含硅有机化合物在水蒸气的存在下对炉管的表面处理0.5-3小时,然后在水蒸气或惰性气体或水蒸气与惰性气体的混合物存在下使用至少一种含硫有机化合物在600-900℃温度下对炉管表面处理0.5-3小时。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于在引入不含硫的裂解原料进行裂解以后,以裂解原料油质量为基准,连续添加1-200μg/g含硫有机化合物。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含硅有机化合物为有机硅烷或有机硅氧烷。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含硅有机化合物为碳数不超过10的烷基硅烷。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含硅有机化合物为四甲氧基硅烷、四乙基硅烷。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含硅有机化合物为碳数不超过10的烷氧基硅烷。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含硅有机化合物为四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷。
8.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述的含硫有机化合物为二甲基二硫或乙硫醇。
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