[发明专利]基板处理方法和存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及对至少含有铂(platinum)的层进行蚀刻的基板处理方法和存储介质。

背景技术

利用电流磁场的磁通反向(flux reversal)存储信息的磁存储装置，各种层层积并且各种层由蚀刻为期望形状的半导体晶片(以下，简称为“晶片”)制造。构成如此磁存储装置的各种层的一个为包括作为磁性材料的铂(Pt)的铂锰(Pt-Mn)层，铂作为难蚀刻材料的其中之一是公知的。

作为铂锰层的蚀刻方法，已知有通过离子研磨，例如使用通过高能量的氩(Ar)的阳离子的溅射，对铂锰层进行物理蚀刻的方法，但是使用离子研磨的情况下，阳离子在高能量下入射掩膜和铂锰层，因此，难以确保掩膜和铂锰层的选择度，此外，掩膜的图案早期崩解，使得蚀刻得到孔或槽的形状成为锥形(例如，参照非专利文献1)。

在此，也提案有使用含有还原力大的卤素气体的蚀刻气体对铂锰层进行化学蚀刻的方法(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1斧高一、高桥和生、江利口浩二，“高介电常数(High-k)材料的干蚀刻”，等离子体·核融合学会志，Vol.85，No.4(2009)，pp.185-192，2009年1月发行

专利文献

专利文献1日本特开2006-60172号公报

发明内容

但是，卤素气体产生强酸，因此，会产生促进基板处理装置的构成部件的腐蚀和磁性材料自身的腐蚀的问题。

本发明的目的在于，提供一种不使用卤素气体能够对包括至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法和存储介质。

为了达到上述目的，本发明第一方面所述的基板处理方法，其使用掩膜对形成于基板的至少含有铂的层进行蚀刻，该基板处理方法的特征在于，使用至少含有一氧化碳气体、氢气和稀有气体的处理气体，对所述至少含有铂的层进行蚀刻，相对于所述一氧化碳气体和所述氢气的合计流量，所述氢气的流量比为50％～75％。

本发明第二方面所述的基板处理方法，其特征在于，在本发明第一方面所述的基板处理方法中，相对于所述一氧化碳气体和所述氢气的合计流量，所述氢气的流量比为50％～60％。

本发明第三方面所述的基板处理方法，其特征在于，在本发明第一方面所述的基板处理方法中，相对于所述稀有气体和所述一氧化碳气体的合计流量，所述稀有气体的流量比为40％～50％。

本发明第四方面所述的基板处理方法，其特征在于，在本发明第一～第三方面的任一方面所述的基板处理方法中，所述稀有气体为氩气。

本发明第五方面所述的基板处理方法，其特征在于，在本发明第一～第三方面的任一方面所述的基板处理方法中，所述含有铂的层的蚀刻在压力为13.3Pa～133Pa的条件下进行。

本发明第六方面所述的基板处理方法，其特征在于，在本发明第五方面所述的基板处理方法中，所述包括铂的层的蚀刻在压力为40.0Pa～133Pa的条件下进行。

为了达到上述目的，本发明第七方面所述的存储介质，为存储在计算机上执行基板处理方法的程序的计算机可读的存储介质，所述基板处理方法为使用掩膜对在基板上形成的至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法，使用至少含有一氧化碳气体、氢气和稀有气体的处理气体，对所述至少含有铂的层进行蚀刻，相对于所述一氧化碳气体和所述氢气的合计流量，所述氢气的流量比为50％～75％。

根据本发明，使用至少含有一氧化碳气体、氢气和稀有气体的处理气体对至少含有铂的层进行蚀刻，相对于一氧化碳气体和氢气的合计流量，氢气的流量比为50％～75％。使用一氧化碳气体进行蚀刻的情况下，暴露的各种层的表面堆积有碳层，但是从氢气产生的氢等离子体对该碳层进行灰化。此时，从稀有气体产生的阳离子入射到碳层，赋予该碳层能量。此外，相对于一氧化碳气体和氢气的合计流量，氢气的流量比为50％～75％，氢大量存在，因此，碳层被灰化时存在多余的氢。赋予能量的碳层与从一氧化碳产生的氧结合，产生羰基，并且，通过向碳层施与的能量多余的氢与羰基结合，产生羧基，该羧基作为配体与铂配位结合，产生有机络合物。有机络合物容易气化，作为结果，能够从至少含有铂的层除去铂，由此，能够不使用卤素气体而对至少含有铂的层进行蚀刻。

附图说明

图1为概略性的表示执行本发明的实施方式的基板处理方法的基板处理装置的结构的截面图。

图2为概略性的表示图1的基板处理装置实施等离子体蚀刻处理的晶片的结构的部分截面图。