[发明专利]超级电容电池集流体及其表面碳膜制备方法

权利要求书

1.一种集流体表面碳膜制备方法，其特征在于，包括：

S100，超声波清洗集流体步骤；

S200，离子清洗集流体步骤；以及

S300，采用射频等离子增强化学气相沉积工艺在集流体表面沉积厚度为0.2～0.6μm碳膜步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S100中，包括步骤：

S110，将集流体依次经过清洁剂、自来水、丙酮和去离子水进行超声波清洗；以及

S120，将经过超声波清洗后的集流体在烘箱中烘干并装卡在化学气相沉积真空室的旋转支架上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S110中，包括步骤：

S111，采用加有清洁剂的自来水超声波清洗10～15min，去除集流体表面油污；

S112，用流动的自来水冲洗集流体表面残留的清洁剂；

S113，依次采用丙酮和去离子水分别超声波清洗10～15min，去除集流体表面残留的污渍。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤S200中，包括步骤：

S210，对所述化学气相沉积真空室抽真空至2～5×10^-1Pa，然后向真空室通入Ar气；

S220，在真空室压力为2～5Pa时开启旋转支架和射频电源，在射频功率为100～300W时产生的大量氩离子对集流体表面进行轰击、清洗10～15min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S300中，包括步骤：

S310，在真空室压力为2～5×10^-1Pa时向真空室内通入Ar气和CH₄；

S320，真空室压力为3～15Pa时开启射频电源，在射频功率150～300W，真空室基体直流偏压为-1500V～-200V下沉积20～60min。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤S310中，通入的Ar气流量为20～50sccm，CH₄流量为4～25sccm。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在S320步骤中，集流体的温度不高于80℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集流体为镍箔、泡沫镍、冲孔镍、铝箔、铜箔或不锈钢波超级电容电池用集流体。

9.一种采用权利要求1-7任意一项所述的方法制得的超级电容电池集流体，其特征在于，集流体表面沉积有0.2～0.6μm的碳膜。