[发明专利]C波段低插损高抑制微型带通滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及一种滤波器，特别是一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器。 

背景技术

近年来，无线通信业迅猛发展，迫切要求通信系统向更轻、更小、更便携、更好性能的方向发展。而滤波器作为微波/射频中的重要器件，其高性能、低成本、高可靠性和小型化具有极重要的意义。描述这种部件性能的主要技术指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、通带输入/输出电压驻波比、通带插入损耗、阻带衰减、形状因子、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。常规的滤波器设计方法，如发夹型滤波器结构、谐振腔滤波器结构和同轴线滤波器结构等体积和插入损耗较大，在许多应用场合（如：机载、弹载、宇航通信、手持无线终端、单兵移动通信终端等）均受到很大限制。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种体积小、重量轻、可靠性高、温度性能稳定好、电性能优异、批量电性能一致性好、成本低的C波段低插损高抑制微型带通滤波器。 

实现本发明目的的技术方案是：一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于包括表面安装的50欧姆阻抗输入端口、输入电感、第一级并联谐振单元、第一电磁耦合电路、第二级并联谐振单元、第二电磁耦合电路、第三级并联谐振单元、第三电磁耦合电路、第四级并联谐振单元、第四电磁耦合电路、输出电感、表面安装的50欧姆阻抗输出端口和接地端，输入端口与输入电感连接，输出端口与输出电感连接，该输出电感与输入电感之间并联第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元和第四级并联谐振单元，在第一级并联谐振单元与第二级并联谐振单元之间串联第一电磁耦合电路；第二级并联谐振单元与第三级并联谐振单元之间串联第二电磁耦合电路；第三级并联谐振单元与第四级并联谐振单元之间串联第三电磁耦合电路；第一级和第四级并联谐振单元与Z字形交叉耦合带状线之间串联第四电磁耦合电路；所述的第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元和第四级并联谐振单元分别接地。 

本发明与现有技术相比，其显著优点是： 

（1）本发明4千兆赫C波段低插损高抑制微型带通滤波器利用多层低温共烧陶瓷工艺（LTCC）特点，采用立体多层叠层结构实现电路元件，大大缩小体积；

（2）利用LTCC陶瓷介质介电常数高特点同样可大幅减小元件尺寸；

（3）利用LTCC材料的低插损特点和独特的电路结构实现优异的电性能；

（4）利用低温陶瓷材料的高温度稳定性和可靠性，使得元件具有高温度稳定性和高可靠性；

（5）利用LTCC工艺的大批量生产的一致性，获得高成品率和低成本。总之，本发明具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、电性能温度稳定性高、电路实现结构简单、电性能一致性好，可以用全自动贴片机安装和焊接、特别适用于火箭、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持终端中，以及对体积、重量、性能、可靠性有苛刻要求的相应系统中。

附图说明

图1 是本发明C波段低插损高抑制微型带通滤波器的电原理图； 

图2是本发明C波段低插损高抑制微型带通滤波器的外形及内部结构示意图；

图3 是本发明C波段低插损高抑制微型带通滤波器的并联谐振单元结构示意图；

图4 是本发明C波段低插损高抑制微型带通滤波器三维全波仿真性能曲线。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。