[发明专利]提供无极性功率连接的桥接电路

权利要求书

1.一种设备，包括：

无极性输入端，耦接至金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的栅极，所述MOSFET器件具有大于25伏的栅极电介质额定值；以及

固定极性输出端，耦接至所述MOSFET器件的源极。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述MOSFET器件的栅极的电压额定值约等于所述MOSFET器件的漏极-源极电压额定值。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述MOSFET器件为第一n沟道MOSFET器件，所述无极性输入端为第一无极性输入端，所述设备还包括：

第二n沟道MOSFET器件，具有耦接至所述固定极性输出端的源极和耦接至第二无极性输入端的栅极。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述MOSFET器件为n沟道MOSFET器件，所述固定极性输出端为第一固定极性输出端，所述设备还包括：

p沟道MOSFET器件，具有耦接至第二固定极性输出端的源极和耦接至所述无极性输入端的栅极。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极电介质具有大于50nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述无极性输入端和所述固定极性输出端共同限定分立部件的引线框的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述无极性输入端耦接至所述MOSFET器件的栅极，所述固定极性输出端耦接至所述MOSFET器件的源极。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述无极性输入端用作以太网供电连接的输入端。

9.根据权利要求1所述的设备，还包括：

电压限制器电路，包括至少一个齐纳二极管和被构造为限制通过所述电压限制器电路的电流的电阻器。

10.一种设备，包括：

引线框，包括：

固定正输出端子，

固定负输出端子，

第一无极性输入端子，以及

第二无极性输入端子；

p沟道MOSFET器件，包括耦接至所述固定正输出端子的源极垫、耦接至所述第一无极性输入端子的漏极以及耦接至所述第二无极性输入端子的栅极垫；以及

n沟道MOSFET器件，包括耦接至所述固定负输出端子的源极垫、耦接至所述第一无极性输入端子的漏极以及耦接至所述第二无极性输入端子的栅极垫，所述n沟道MOSFET器件为垂直定向MOSFET器件。

11.根据权利要求10所述的设备，还包括：

电压限制器电路，包括设置在所述n沟道MOSFET器件的栅极垫和源极垫之间的至少一部分。

12.根据权利要求10所述的设备，其中，所述引线框、所述p沟道MOSFET器件和所述n沟道MOSFET器件被封装为单个分立部件。

13.根据权利要求10所述的设备，其中，所述p沟道MOSFET器件或所述n沟道MOSFET器件中的至少一个具有大于25伏的栅极电介质额定值，并且，所述n沟道MOSFET器件的栅极垫的电压额定值约等于所述n沟道MOSFET器件的漏极-源极电压额定值。

14.根据权利要求10所述的设备，其中，所述n沟道MOSFET器件的漏极在不插入部件的情况下直接耦接至所述第一无极性输入端。

15.根据权利要求10所述的设备，其中，所述n沟道MOSFET器件包括具有大于50nm的厚度的栅极电介质。

16.一种设备，包括：

四端子引线框，包括一对无极性输入端子和一对输出端子；

多个p沟道MOSFET器件，操作地耦接至所述四端子引线框；

以及

多个n沟道MOSFET器件，操作地耦接至所述四端子引线框。

17.根据权利要求16所述的设备，其中，所述多个p沟道MOSFET器件中的每个p沟道MOSFET器件为具有耦接至所述一对无极性输入端中的至少一个的漏极的垂直定向MOSFET器件，以及

所述多个n沟道MOSFET器件中的每个n沟道MOSFET器件为具有耦接至所述一对无极性输入端中的至少一个的漏极的垂直定向MOSFET器件。