[发明专利]高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器

权利要求书

1.高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极(9)、N型衬底(1)、N型缓冲层(2)、N型分段DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、P型分段DBR(6)、P型盖层(7)和P面电极(8)；所述P面电极(8)放置在P型盖层(7)的顶面上且电连接到P型盖层(7)，所述N面电极(9)位于N型衬底(1)的背面且电连接到N型衬底(1)，所述有源区(4)位于N型分段DBR(3)与P型分段DBR(6)之间，有源区(4)内引入增益介质层(4a)，其特征在于，所述N型分段DBR(3)和P型分段DBR(6)采用分段结构，N型分段DBR(3)的高、低折射率材料层交替周期性分布，在靠近有源区(4)的前六至八对N型DBR(3a)的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的N型DBR(3b)的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR(6)的高、低折射率材料层交替周期性分布，在靠近有源区(4)的前六至八对P型DBR(6a)的高、低折射率材料对的折射率差大于后面的P型DBR(6b)的高、低折射率材料对的折射率差。

2.根据权利要求1所述的高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述有源区(4)光学厚度为出射波长λ/2的整数倍。

3.根据权利要求1所述的高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述有源区(4)引入多个周期性增益结构。

4.根据权利要求1所述的高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述增益介质层(4a)为单层量子阱、多层量子阱、量子点或量子线。

5.根据权利要求1所述的高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述N型衬底(1)采用N型高掺杂的GaAs或InP；N型缓冲层(2)选择N型高掺杂的GaAs或InP；N型分段DBR(3)的高折射率层和低折射率层选择不同铝组分的三元材料AlGaAs或多元材料，P型分段DBR(6)的高折射率层和低折射率层选择不同铝组分的三元材料AlGaAs或多元材料；氧化限制层(5)选择高铝组分AlGaAs材料；P型盖层(7)选择P型重掺杂GaAs或InP材料。