[发明专利]用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器及其制备方法

权利要求书

1. 用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器由纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀分散于衬底上形成。

2.如权利要求1所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器通过下法获得：先在衬底上制备金属薄膜，然后将上转换发光材料涂敷于金属薄膜上；在真空或惰性气氛中于200-300℃退火即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。

3.如权利要求1所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器通过下法获得：先在衬底上涂敷上转换发光材料，然后在上转换发光材料表面沉积金属薄膜，在真空或惰性气氛中于200-300℃退火后，即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。

4.如权利要求2或3所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，通过真空蒸发法或溅射法制备或沉积金属薄膜。

5.权利要求1所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，先在衬底上制备金属薄膜，然后将上转发光换材料涂敷于金属薄膜上；或者先在衬底上涂敷上转换发光材料，然后在上转换发光材料表面沉积金属薄膜；之后在真空或惰性气氛中于200-300℃退火即可。

6.如权利要求5所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的上转换发光材料为稀土离子掺杂的氧化物、卤化物或硫化物。

7.如权利要求5或6所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，上转换发光材料涂层的厚度为0.1-0.5mm。

8.如权利要求7所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的金属薄膜为Ag或Au的薄膜，金属薄膜厚度为10-30nm。

9.如权利要求8所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的衬底为玻璃或陶瓷。