[发明专利]一种用于固体绝缘开关设备的固封极柱单元有效
申请号: | 201210079984.8 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN102623231A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 翟鹏飞;陈添旭 | 申请(专利权)人: | 中能电气(福清)有限公司 |
主分类号: | H01H33/66 | 分类号: | H01H33/66 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 350002 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 固体 绝缘 开关设备 固封极柱 单元 | ||
技术领域
本发明涉及一种固体绝缘开关设备,尤其涉及固体绝缘开关设备的核心部分的用于固体绝缘开关设备的固封极柱单元。
背景技术
目前市场上的固封极柱形式多样,结构及安装方式也各有不同,这些固封极柱单元,其每一相独立成型称为极柱。使用时,把三相的极柱安装在固定柜架上,真空灭弧室的动端与操作机构连接,极柱上下出线端与主回路连接组件连接,当线路发生短路或过流时,对变压器等部件进行保护。但目前市场上供应的固封极柱仅仅实现了主回路分合闸的功能,没有隔离与接地功能,在运行时还必须和相应的隔离、接地开关配合使用。所以在结构设计、绝缘性能、相间隔离及开关体积大小上都不够理想,这直接影响固体绝缘开关设备的运行可靠性。
发明内容
本发明的目的是提供一种体积小,绝缘性能可靠,使用安全的用于固体绝缘开关设备的固封极柱单元。
本发明内容是通过以下技术方案实现的:固封极柱单元其包括极柱壳体、三工位真空灭弧室、断路器真空灭弧室、上导电体、下导电体及其表面的半导体屏蔽层,三工位真空灭弧室的中间部位设有接地连接端延伸至壳体之外,其中所述的三工位真空灭弧室和断路器真空灭弧室同时固封在极柱壳体的上下相互隔离的两个隔室内,三工位真空灭弧室的静端连接上导电体,断路器真空灭弧室静端与下导电体连接,上导电体的上端设有与绝缘母线插件配合使用的锥形槽,下导电体的另一端设有与绝缘母线插件配合使用的锥形槽,三工位真空灭弧室的动端与断路器真空灭弧室的动端同在一个腔体内,两个真空灭弧室的动端通过软连接相连,并分别通过与各自连接的绝缘拉杆与操作机构连接来实现分合闸操作。
所述的上导电体内装有弹簧触指,锥形槽的端面采用法兰, 锥形槽的锥形面上设有主密封槽,端面设有辅助密封槽。
所述的下导电体内装有弹簧触指,锥形槽的端面采用法兰,锥形槽的锥形面上设有主密封槽为主密封,端面设有辅助密封槽。
所述的壳体对应绝缘拉杆的内侧采用波纹设计。
所述的极柱壳体表面喷或涂上一层半导电体屏蔽层(13)。
所述的极柱壳体采用自动压力凝胶工艺(APG)浇注而成。
本发明采用以上技术方案,通过三工位真空灭弧室和断路器真空灭弧室将隔离、接地和断路器回路固封在一起,克服了目前固体绝缘开关设备固封极柱单元功能上和使用上的不足;与绝缘母线插件配合使用的锥形槽采用两道橡胶密封结构,提高了使用安全性;壳体对应绝缘拉杆的内侧采用波纹设计,增大了爬距,可以同时满足24kV开关设备的使用要求;采用自动压力凝胶技术(APG)浇注而成极柱壳体,有一定的机械强度,便于与其他模块连接固定,增强了绝缘水平,外界环境对真空灭弧室的影响降到最低,可以免受灰尘、潮气、污秽的影响,而且减小了配用的开关柜的体积;壳体周围表面喷或涂上一层半导电体层,均匀电场,避免电荷积累,抑制了相间短路故障,可防止触电,提高了安全性。
附图说明
图1是本发明固封极柱单元的外部示意图;
图2是本发明固封极柱单元的剖视示意图。
具体实施方式
请参阅图1或图2,本发明固封极柱单元,其包括极柱壳体8、三工位真空灭弧室3、断路器真空灭弧室9、上导电体4、下导电体10及其表面的半导体屏蔽层13,三工位真空灭弧室3的中间部位设有接地连接端14延伸至壳体8之外,所述的三工位真空灭弧室3和断路器真空灭弧室9同时固封在极柱壳体8的上下相互隔离的两个隔室内,三工位真空灭弧室3的静端连接上导电体4,断路器真空灭弧室9静端与下导电体10连接,上导电体4的上端设有与绝缘母线插件配合使用的锥形槽6,下导电体10的另一端设有与绝缘母线插件配合使用的锥形槽7,三工位真空灭弧室3的动端与断路器真空灭弧室9的动端同在一个腔体内,两个真空灭弧室的动端通过软连接2相连,并分别通过与各自连接的绝缘拉杆1与操作机构连接来实现分合闸操作。
所述的上导电体4内装有弹簧触指5,锥形槽6的端面采用法兰15, 锥形槽6的锥形面上设有主密封槽61,端面设有辅助密封槽62。
所述的下导电体10内装有弹簧触指5,锥形槽7的端面采用法兰16,锥形槽7的锥形面上设有主密封槽71为主密封,端面设有辅助密封槽72。
所述的壳体8对应绝缘拉杆1的内侧采用波纹设计。
所述的极柱壳体8表面喷或涂上一层半导电体屏蔽层13。
所述的极柱壳体8采用自动压力凝胶工艺(APG)浇注而成。
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