[发明专利]发光器件及包括该发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层被设置成在相同方向上彼此邻近，所述有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层具有比所述势垒层小的能带隙；

掩模层，所述掩模层设置在所述第一导电类型半导体层中；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部，

其中，所述掩模层包括掩蔽区和与所述掩蔽区区分的窗口区，以及

其中，所述凹部与所述窗口区垂直地重叠，并且不与所述掩蔽区垂直地相重叠。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极与所述窗口区垂直地重叠且不与所述掩蔽区垂直地重叠。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述凹部设置在所述窗口区和所述有源层之间。

4.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层包括SiO₂或SiN中的至少一种。

5.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层被构图为：经构图的掩模层的水平截面形状具有预定的形状。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述掩模层的水平截面形状包括格子形状、条纹形状、圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。

7.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光结构设置在衬底之上，并且所述衬底包括形成在所述衬底的表面处的光提取结构，该光提取结构邻近于所述发光结构。

8.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，进一步包括：

透明电极层，所述透明电极层设置在所述发光结构和所述第二电极之间。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述透明电极层的至少一部分与所述第二电极垂直地重叠。

10.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，进一步包括：

电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间。

11.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层具有0.01至1.5μm的厚度。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述窗口区和所述掩蔽区具有1:0.1至10的宽度比。

13.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述凹部形成在所述第一导电类型半导体层的上表面的、来自所述发光器件的下部的螺旋位错到达的一部分处。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层包括AlGaN。

15.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述凹部包括V型坑形状、倒多边形玉米形状或者倒金字塔形状。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层被形成有与所述第一导电类型半导体层的凹部相对应的凹部。

17.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述透明电极层的厚度在60～170nm的范围内。

18.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述第一和第二电极的宽度分别在50～150μm的范围内。

19.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述第一和第二电极的厚度分别在1000～1500nm的范围内。

20.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光器件的总高度在100～200μm的范围内。

21.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光器件的总高度在100～300μm的范围内。

22.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光结构的厚度在8.5～9.0μm的范围内。