[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210080159.X 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102694109A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 別府 卓;乃一 拓也 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/60;H01L33/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其包括:

衬底,其具有导电部分;

发光元件,所述发光元件在其下表面侧上具有一个或一个以上电极,所述电极定位于所述衬底的所述导电部分上;

磷光体层,其安置在所述发光元件的表面上和所述导电部分的在所述发光元件旁边的外围表面区域上;以及

反射层,其覆盖所述磷光体层的安置于所述导电部分的所述外围表面区域上的一部分。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述反射层定位于低于所述发光元件的上表面处。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述反射层覆盖所述磷光体层的安置于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分的外侧。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中:

所述导电部分具有围绕所述发光元件的至少一部分的开口,所述衬底在所述开口处暴露,

所述磷光体层的安置于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分通过所述开口与所述磷光体层的安置于所述发光元件的所述表面上的部分分离,且

所述反射层在所述开口处覆盖所述衬底的暴露区域。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中:

所述发光元件进一步包括发冷光层,且

所述反射层定位于低于所述发冷光层处。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述反射层的上表面定位在高于所述发光元件的半导体层的下表面处。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述反射层的上表面定位在高于所述发光元件的半导体层的上表面处。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述反射层覆盖所述磷光体层的安置于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分的全部。

9.一种用于制造发光装置的方法,所述方法包括:

将发光元件的一个或一个以上电极连接到衬底的导电部分;

在所述衬底上的至少所述发光元件上形成磷光体层;以及

在所述磷光体层的在所述发光元件的外围周围的一部分上形成反射层。

10.根据权利要求9所述的用于制造发光装置的方法,其中:

在所述发光元件的表面上和所述导电部分的在所述发光元件旁边的外围表面区域上形成所述磷光体层,且

在所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的一部分上形成所述反射层。

11.根据权利要求9所述的用于制造发光装置的方法,其中通过电沉积方法或静电涂覆方法形成所述磷光体层。

12.根据权利要求9所述的用于制造发光装置的方法,其中通过电沉积方法或静电涂覆方法形成所述反射层。

13.根据权利要求12所述的用于制造发光装置的方法,其进一步包括:

在形成所述磷光体层之前在所述发光元件的所述表面上形成具有导电性的覆盖层,所述磷光体层形成于所述覆盖层的表面上和所述导电部分的在所述发光元件旁边的外围表面区域上;以及

在形成所述磷光体层之后再形成所述覆盖层以便具有绝缘性质,所述反射层形成于所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的一部分上。

14.根据权利要求9所述的方法,其中将所述反射层定位在低于所述发光元件的上表面处。

15.根据权利要求9所述的方法,其中形成所述反射层以便覆盖所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分的外侧。

16.根据权利要求9所述的方法,其中:

所述导电部分具有围绕所述发光元件的至少一部分的开口,所述衬底在所述开口处暴露,

所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分通过所述开口与所述磷光体层的形成于所述发光元件的所述表面上的部分分离,且形成所述反射层以便在所述开口处覆盖所述衬底的暴露区域。

17.根据权利要求9所述的方法,其中:

所述发光元件进一步包括发冷光层,且

将所述反射层定位于低于所述发冷光层处。

18.根据权利要求9所述的方法,其中将所述反射层的上表面定位在高于所述发光元件的半导体层的下表面处。

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