[发明专利]有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法有效
申请号: | 201210080349.1 | 申请日: | 2012-03-25 |
公开(公告)号: | CN102623399A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 高孝裕;邱勇;黄秀颀;韩珍珍;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 金碎平 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光 显示器 阵列 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种阵列基板制作方法,尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法。
背景技术
有机发光显示器(OLED)具有自发光、广视角、高对比度,薄型化,低功耗等优点,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一,有望成为继现在的主流显示技术——薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)之后的下一代平板显示技术。通常OLED显示器为层叠式结构,采用如小分子材料、聚合物或其他发光材料的有机发光化合物,作为有机发光层,放置于阴极和阳极之间。根据驱动方式不同,OLED显示器可分为有源矩阵型(Active Matrix)和无源矩阵型。
有源矩阵有机发光显示器(以下简称AMOLED)通过像素区中的驱动薄膜晶体管(TFT),以电流方式驱动有机发光层发光。目前,在有源矩阵有机发光显示器制作工艺中,通常在透明电极层形成之后,且蒸镀工艺开始之前,采用阵列掩模板制作一保护膜层,厚度达到几个微米,以避免蒸镀掩模板在蒸镀有机膜层时发生损伤,但是如果制作的保护膜的膜面台阶差较大,则容易造成后续蒸镀的电极材料在台阶处发生断裂,从而影响显示品质。因此,有必要提供一种可降低AMOLED阵列基板上保护膜层台阶差,提高产品良率的阵列基板制作方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,可有效减小保护膜层的台阶差,降低AMOLED点缺陷显示不良的发生几率,进而提高AMOLED的显示品质。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,包括如下步骤:提供一基板;在基板上形成缓冲层和半导体层,采用光刻形成第一半导体图形和第二半导体图形;在上述基板上继续形成栅绝缘层和第一金属层,采用光刻形成栅极;接着在上述基板上沉积层间绝缘层,采用刻蚀的方法在层间绝缘层上形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔和第四接触孔;在上述基板上继续形成第二金属层,采用光刻形成源极、漏极和存储电容电极,所述源极通过第一接触孔和第一半导体图形相连,所述漏极通过第二接触孔和第一半导体图形相连,所述存储电容电极通过第三接触孔和第二半导体图形相连;接着在上述基板上方继续形成钝化绝缘层覆盖源极和漏极;在钝化绝缘层上蚀刻形成连通第四接触孔的第五接触孔;接下来在基板上方形成透明电极膜层,采用光刻形成透明电极层,所述透明电极层通过贯通的第四接触孔、第五接触孔和第一金属层相连;最后,在基板的整个表面形成保护膜层和蒸镀材料层,利用多灰阶掩膜板进行曝光;第一半导体图形和第二半导体图所在位置为半曝光,透明电极层所在位置为全曝光,其余区域为不曝光;形成台阶式保护膜层。
上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,其中,所述多灰阶掩膜板为狭缝式三灰阶掩膜板或者半透光式三灰阶掩膜板。
上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,其中,所述半导体层为非晶硅层。
上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,其中,所述台阶式保护膜层厚度为2微米,各台阶的高度差为0.5微米。
本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法,通过在基板的整个表面形成保护膜层和蒸镀材料层,利用多灰阶掩膜板进行曝光形成台阶式保护膜层,从而有效减小保护膜层的台阶差,降低AMOLED点缺陷显示不良的发生几率,进而提高AMOLED的显示品质。
附图说明
图1为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图;
图2为图1中A-A′截面处各膜层制作工艺示意图;
图2A为形成多晶硅半导体层的示意图;
图2B为沉积栅绝缘层的示意图;
图2C为形成栅极及第一金属层的示意图;
图2D为沉积层间绝缘层的示意图;
图2E为形成接触孔图案的示意图;
图2F为形成源、漏极和第二金属层的示意图;
图2G为沉积钝化层的示意图;
图2H为形成接触孔图案的示意图;
图2I为形成透明电极层的示意图;
图3为一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板保护膜层制作示意图;
图4为本发明的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板保护膜层制作示意图。
图中:
20基板 31栅绝缘层 32层间绝缘层
33钝化绝缘层 101扫描线 102数据线
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造