[发明专利]穿透式主动数组电致变色显示设备无效
申请号: | 201210080880.9 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN103323997A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 李炳寰;田孝通;吴岩璋;田旭清 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/155 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 中国台湾台南市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 穿透 主动 数组 变色 显示 设备 | ||
1.一种穿透式主动数组电致变色显示设备,其特征在于,至少包括:
一第一电极,其包括:
一第一基板;
至少两个主动组件,作为至少两个影像元素,被覆镶嵌于第一基板的表面,用以控制电致变色显示设备的电位能;
一第一导体层,配置于主动组件的表面,并电耦合于主动组件;
一第一半导体层,配置于第一导体层的表面;以及
一电致变色团,配置于第一半导体层的表面;
一第二电极,其包括:
一第二基板;
一第二导体层,配置于第二基板的一表面;以及
一第二半导体层,配置于第二导体层的表面;
一电解质,填充于第一电极与第二电极之间;以及
一背光板,配置于第二基板的另一表面,用以提供可视光源;
其中第一半导体层选自于二氧化钛、三氧化钨、三氧化钼、氧化锌、氧化铌、氧化铱以及二氧化锡之一者;第二半导体层通常选自于氧化钒、氧化镍、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化铑之一。
2.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,每个影像元素皆具有对应的主动组件。
3.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述主动组件选自n通道金氧半场效晶体管、p通道金氧半场效晶体管与互补金氧半场效晶体管的一。
4.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述主动组件包括一闸极、一源极与一汲极。
5.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述主动组件所覆盖于第一基板的面积小于第一半导体层面积的二分之一。
6.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述第一半导体层与第二半导体层为一透明奈米结构的金属氧化物半导体膜。
7.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述第一基板与第二基板选自于透明的玻璃或塑料之一。
8.根据权利要求1所述的电致变色显示设备,其特征在于,所述第一导体与第二导体层选自于氧化铟钖、氧化铝锌与掺氟氧化锡薄膜之一。
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