[发明专利]一种席夫碱修饰铜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201210080994.3 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102621203A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘峥;张小鸽;王苗苗 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 席夫碱 修饰 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种席夫碱修饰铜电极的制备方法，其特征在于具体步骤为：
截取铜棒，用砂纸打磨，在6mol/LHNO3中浸泡10秒，然后用蒸馏水冲洗，电极除底端和顶端外周围用石蜡密封，顶端用于固定电极，底端接触溶液；然后在50mL含0.0135g邻氧乙酸苯甲醛缩牛磺酸席夫碱配体的1mol/LNaOH中于-1.2～0.6V电位区间以扫50mV·s-1扫描14圈，即制得邻氧乙酸苯甲醛缩牛磺酸席夫碱修饰铜电极。
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