[发明专利]一种蓝宝石晶体生长热场用钨板筒

说明书

技术领域

本发明涉及一种蓝宝石晶体生长热场用钨板筒。

背景技术

在晶体生长中，热场温度梯度的控制十分重要，控制热场的温度梯度更是生长出优质晶体材料的关键。不同的晶体材料不同的生长方法，对温度梯度要求不同，温度梯度成为生长出优质晶体的关键技术之一。以蓝宝石单晶生长为例，其生长温度约为2050℃，所以对热场的隔热结构要求比较苛刻。传统的最内层保温桶内衬多采用钨烧结成型的单层烧结筒作为最内层的保温装置（如附图1及附图2所示）。但此烧结筒价值非常昂贵，生产成本极高，另外烧结筒的圆度受烧结温度的影响很难控制。

发明内容

本发明的目的是提供一种成本低、均匀性和对称性好的蓝宝石晶体生长热场用钨板筒。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种蓝宝石晶体生长热场用钨板筒，包括相套设的内筒和外筒，所述的内筒与所述的外筒之间设置有多个定位件和多个支撑件，每个所述的支撑件呈U型：其底部铆接于所述的内筒的外壁上、两侧壁的顶端抵在所述的外筒的内壁，各所述的定位件呈订紧在所述的内筒与所述的外筒上的书钉状。

优选地，所述的内筒由至少一块钨板拼接而成，所述的外筒由至少一块钨板拼接而成，位于相拼接的位置处的所述的支撑件的底部以两个铆钉铆接，其他的所述的支撑件的底部以一个铆钉铆接。

优选地，这些所述的定位件分为位于上部和下部的两组，每组中包括多个所述的定位件，这多个所述的定位件沿周向均匀分布。

优选地，这些所述的支撑件至少包括上部和下部的两组，每组中包括多个所述的支撑件，这多个所述的支撑件与多个所述的定位件分别沿所述的内筒的轴向投影相交错分布。

优选地，所述的外筒的外壁设置有多个所述的支撑件，这些所述的支撑件呈U型：其底部铆接于所述的内筒的外壁上、两侧壁的顶端向外延伸而抵在外部的其他部件上。

进一步地，所述的内筒与所述的外筒同轴相套设，所述的内筒的壁厚范围在1-3mm，所述的外筒的壁厚范围在1-3mm，所述的内筒的外壁与所述的外筒的内壁之间的径向距离范围在4-7mm。

本发明的有益效果是：应用本发明的钨板筒，使温度场热辐射的均匀性和对称性好，避免了晶体生长过程中因隔热屏变形而导致坩埚温度场的均匀性不好，使晶体内应力很大甚至破裂的现象，本钨板筒能够达到传统的烧结筒的效果，其也能保证和烧结筒一样的使用寿命，并且可大大节约成本。

附图说明

附图1为传统技术中的钨烧结成型的单层烧结筒的俯视示意图；

附图2为附图1中A-A向剖视图；

附图3为本发明的钨板筒的侧视示意图；

附图4为本发明的钨板筒的俯视示意图。

附图中：1、内筒；2、外筒；3、定位件；4、支撑件；5、铆钉。 

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明的技术方案作以下详细描述：

如附图3及附图4所示，本发明的蓝宝石晶体生长热场用钨板筒包括相套设的内筒1和外筒2，内筒1与外筒2之间设置有 多个定位件3和多个支撑件4，每个支撑件4呈U型：其底部铆接于内筒1的外壁上、两侧壁的顶端抵在外筒2的内壁，各定位件3呈订紧在内筒1与外筒2上的书钉状，内筒1由至少一块钨板拼接而成，外筒2由至少一块钨板拼接而成，位于相拼接的位置处的支撑件4的底部以两个铆钉5铆接，其他的支撑件4的底部以一个铆钉5铆接，这些定位件3分为位于上部和下部的两组，每组中包括9个定位件3，这9个定位件3沿周向均匀分布，这些支撑件4至少包括上部和下部的两组，每组中包括9个支撑件4，这9个支撑件4与9个定位件3分别沿内筒1的轴向投影相交错分布，外筒2的外壁设置有多个支撑件4，这些支撑件4呈U型：其底部铆接于内筒1的外壁上、两侧壁的顶端向外延伸而抵在外部的其他部件上，内筒1与外筒2同轴相套设，内筒1的壁厚范围在1-3mm，外筒2的壁厚范围在1-3mm，内筒1的外壁与外筒2的内壁之间的径向距离范围在4-7mm，实施例中给出的内筒1及外筒2的壁厚均为2mm，内筒1的外壁与外筒2的内壁之间的径向距离为6mm。