[发明专利]一种异质结型光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结型光电探测器，其特征是具有如下结构：

在硅基底(1)的表面覆有二氧化硅层(2)，在二氧化硅层(2)的表面分散有平铺的碲化锌纳米带(4)，在所述碲化锌纳米带(4)的两端分别设置有欧姆电极(3)作为输出一极，所述欧姆电极(3)与所述碲化锌纳米带(4)呈欧姆接触；在所述碲化锌纳米带(4)上交叠覆有石墨烯(5)，所述石墨烯(5)位于两个欧姆电极(3)之间且与欧姆电极(3)隔离；在所述石墨烯(5)上设置有欧姆电极(6)作为另一输出极，所述欧姆电极(6)与所述石墨烯(5)呈欧姆接触且与碲化锌纳米带(4)和欧姆电极(3)隔离；

所述碲化锌纳米带(4)为P型碲化锌纳米带；所述石墨烯(5)为N型石墨烯；

所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。

2.一种权利要求1所述的异质结型光电探测器的制备方法，其特征在于按如下步骤制备：

将碲化锌纳米带(4)分散到硅基底(1)表面的二氧化硅层(2)上，随后采用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出一对电极图案，然后利用电子束镀膜技术蒸镀得到一对欧姆电极(3)，所述欧姆电极(3)与所述碲化锌纳米带(4)呈欧姆接触；将石墨烯(5)覆于二氧化硅层(2)的表面，利用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出与碲化锌纳米带(4)交叠且位于两个欧姆电极(3)之间并与欧姆电极(3)隔离的电极图案，然后利用氧等离子轰击除去电极图案以外的石墨烯得到石墨烯(5)，再利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术制备得到欧姆电极(6)，所述欧姆电极(6)与石墨烯(5)形成欧姆接触且与碲化锌纳米带(4)和欧姆电极(3)隔离。

3.一种异质结型光电探测器，其特征是具有如下结构：

在硅基底(7)的表面覆有二氧化硅层(8)，在二氧化硅层(8)的表面平铺有石墨烯(9)，在石墨烯(9)上设置有绝缘层(10)，在所述绝缘层(10)的表面分散有碲化锌纳米带(11)且所述碲化锌纳米带(11)的一部分与石墨烯(9)接触；在绝缘层(10)上设置有欧姆电极(12)，所述欧姆电极(12)与碲化锌纳米带(11)呈欧姆接触；在石墨烯(9)上设置有欧姆电极(13)，所述欧姆电极(13)与绝缘层(10)、欧姆电极(12)和碲化锌纳米带(11)隔离；

所述碲化锌纳米带(11)为P型碲化锌纳米带；所述石墨烯(9)为N型石墨烯；

所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。

4.根据权利要求3所述的异质结型光电探测器，其特征在于：所述绝缘层(10)选自氮化硅、氧化哈、氧化锆、氧化铝或二氧化硅。

5.一种权利要求3或4所述的异质结型光电探测器的制备方法，其特征在于按如下步骤制备： 

将石墨烯(9)平铺到硅基底(7)表面的二氧化硅层(8)上，采用紫外光刻和磁控溅射镀膜技术在石墨烯(9)的表面制备绝缘层(10)，将碲化锌纳米带(11)分散到绝缘层(10)上的边缘位置使所述碲化锌纳米带(11)有部分与石墨烯(9)交叠接触，利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在绝缘层(10)上制备欧姆电极(12)，所述欧姆电极(12)与所述碲化锌纳米带(11)呈欧姆接触；再次利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在石墨烯(9)上制备欧姆电极(13)，所述欧姆电极(13)与绝缘层(10)、欧姆电极(12)和碲化锌纳米带(11)隔离。