[发明专利]功率放大器的末级模块、功率放大器和磁共振装置有效

专利信息
申请号: 201210081314.X 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN102694512B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: A.阿尔布雷克特 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;G01R33/54;A61B5/055
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 谢强
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 模块 磁共振 装置
【权利要求书】:

1.一种用于功率放大器装置(26)的末级模块(1),其包括:

壳体(2);

在壳体(2)内部布置的载体(4),所述载体由不导电但导热的材料组成;

在所述载体上布置的至少两个晶体管组件(11);

在所述载体之中或之上的第一导体结构(17),所述第一导体结构(17)将至少两个晶体管组件的漏极输出端连接到输出信号;和

至少两个在所述载体之中或之上的第二导体结构,每个第二导体结构将输入信号传导到至少两个晶体管组件的至少一个栅极输入端,

其中所述至少两个晶体管组件的至少一个晶体管组件分别对应于对称输入信号的一相,并且

其中在载体(4)内部设置至少一个与至少一个晶体管组件(11)相邻传导的冷却通道(24),所述第二导体结构(5)被构造为平衡-不平衡转换器导体结构。

2.根据权利要求1所述的末级模块,其特征在于,两个导体结构(5)产生相位偏移了180°的信号作为用于所述晶体管组件(11)的输入信号。

3.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,至少一个导体结构(5,17)被实施为多层导体结构,其中在所述载体(4)内设置至少一个承载导体线路(7,8,18,19)的层。

4.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,在起电感作用的导体结构(5,17)中设置至少一对接头对(10,21),以用于连接用于调节所述导体结构(5,17)的导体回路的谐振频率的外部电容器(25)。

5.根据权利要求4所述的末级模块,其特征在于,在构造为电感性的平衡-不平衡转换器导体结构的第二导体结构(5)并且中央耦合控制信号的情况下设置两对彼此相对布置的接头对(10),以用于连接两个电容器(25)。

6.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,在所述载体(4)的外侧设置至少一个接地的电源导体结构(13),在所述电源导体结构上电线连接所述晶体管组件(11)的源极输入端,和/或与至少一个晶体管组件(11)的漏极输出端相连的导体平面(16)在中央点(22)上具有用于运行电压的接头并且经由电容(23)与地线相连。

7.根据权利要求6所述的末级模块,其特征在于,在第一导体结构(17)的与漏极输出端相连的导体平面(16)的一侧上设置的晶体管组件(11)的源极输入端的情况下,设置电源导体结构(13)的桥式导体元件,以用于与源极输入端建立联系。

8.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,在所述载体(4)两侧配备晶体管组件(11)。

9.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,所述晶体管组件(11)通过其漏极输出端焊接在所述载体(4)的形成部分第一导体结构(17)的导体平面(16)上,并且其栅极输入端与相应的第二导体结构(5)电线连接。

10.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,在所述载体(4)的两侧各设置八个晶体管组件(11),其中具有一个相位的两个晶体管(11)分别经由载体(4)的导体平面(16)与具有另一个相位的两个晶体管(11)耦合。

11.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,所述壳体(2)内侧具有起接地平面作用的导体平面(3),并且所述载体(4)构造为无需接地平面。

12.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,至少一个冷却通道(24)在其宽度和位置方面相应于与其相邻的晶体管组件(11)使得冷却通道布置在两个设置在载体相对侧的晶体管组件之间,并且在宽度上对应于晶体管组件的宽度。

13.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,所述载体(4)由氧化铝陶瓷和/或氮化铝陶瓷组成。

14.根据权利要求1或2所述的末级模块,其特征在于,所述末级模块是用于磁共振装置(27)的发送单元(30)的功率放大器装置(26)的末级模块(1)。

15.根据权利要求7所述的末级模块,其特征在于,所述桥式导体元件是由科瓦铁镍钴合金组成的桥(14)。

16.根据权利要求8所述的末级模块,其特征在于,所述载体(4)具有两侧相同的外部结构。

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